お知らせ
2011年3月4日
富士通セミコンダクター株式会社
株式会社富士通研究所
「最先端LSIを実現したArFエキシマレーザーリソグラフィ用新規レジスト材料の開発と実用化」が第57回大河内記念技術賞を受賞
LSIはシリコンウェハー基板上に大規模な回路を小さく形成する技術を用いて製造され、微細化することで1枚のウェハーから多数のLSIを製造してコストを低減することができ、性能や省電力性が向上してきました。微細化のためには、回路パターンをレーザー光で転写する過程(リソグラフィ工程)での光源の波長を短くし、さらに、回路パターンが転写される感光性材料(レジスト)にも、レーザー光の波長に最適な構造の材料を開発することが必要となります。
本業績は、環状の炭化水素基であるアダマンチル基がArFエキシマーレーザー光波長に適していることを世界で初めて見出し、独自の材料設計に基づき、新たな化学構造である「親水性の高いラクトン基」と「反応性の高い脱離型アダマンチル基」を組み合わせたArFエキシマレーザーリソグラフィ用の新規レジスト材料として開発・実用化し、90ナノメートル世代以降の先端LSIの量産を可能にしたものです。現在では本技術が世界的なデファクト標準技術となっております。
開発した技術は最先端LSIの製造に不可欠なものとなっており、LSIが内蔵されるパソコンや携帯機器などの小型・高機能・高性能化によって今日のICT社会の発展に大きく貢献しています。
なお、今回の技術成果は、昨年6月18日に平成22年度全国発明表彰「経済産業大臣発明賞」を受賞し、昨年11月19日に第10回(平成22年度)山崎貞一賞(材料分野)の贈呈を受けました。
受賞者
武智 敏(富士通セミコンダクター株式会社)
羽入 勇(富士通セミコンダクター株式会社)
野崎 耕司(株式会社富士通研究所)
矢野 映(株式会社富士通研究所)
阿部 直道(元富士通マイクロエレクトロニクス株式会社(現富士通セミコンダクター株式会社))
以上
注釈
- 注1 富士通セミコンダクター株式会社:
- 代表取締役社長 岡田晴基、本社 神奈川県横浜市。
- 注2 株式会社富士通研究所:
- 代表取締役社長 富田達夫、本社 神奈川県川崎市。
- 注3 フッ化アルゴン・エキシマレーザー:
- アルゴンガスとフッ素ガスの混合ガス中で放電したときに発するレーザー光。90 nm以下の先端LSI製造の露光光源として用いられている。
関連リンク
- 平成22年度全国発明表彰「経済産業大臣発明賞」を受賞(2010年6月18日 プレスリリース)
- 第10回(平成22年度)山崎貞一賞(材料分野)を受賞
- 世界初!4ギガビットVLSI用ArF露光技術の開発に成功(1996年6月11日 プレスリリース)
本件に関するお問い合わせ
株式会社富士通研究所
基盤技術研究所
046-250-8263 (直通)
arf_resist_press@ml.labs.fujitsu.com
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