【サンプル販売価格および出荷時期】

製品名 販売価格(税別) 出荷時期 「MB84SR6H5K5K1」 1万5,000円 2003年6月2日より

【販売目標】

100万個／月

【本製品の特長】

1．高速アクセスタイムを実現

• フラッシュメモリ、モバイルFCRAMともにバーストモード機能を搭載しているため、高速読み出しが可能です。
• バーストモード機能使用時のアクセスタイムは、フラッシュメモリが11ナノ秒、モバイルFCRAMが12ナノ秒です。（66MHz動作時）
• 外部クロックに非同期で、読み出し・書き込み動作もできます。

2．低消費電力

• 1.8Vの低電源電圧のため、フラッシュメモリは最大10マイクロアンペア、モバイルFCRAMは最大120マイクロアンペアのスタンバイ電流を実現しています。
• モバイルFCRAMは、パワーダウン機能を使用することで、さらに大幅なスタンバイ電流の削減が可能です。（最大10マイクロアンペア）

3．3社間で共通化されたピン配置

• COSMORAMに準拠しているので、ピン（基板との接合部）の配置は3社間で共通化されています。

【「MB84SR6H5K5K1」の主な仕様】

MCPパッケージ FBGA-115ピン 9mm x 12mm x 1.4mm(高さ) COSMORAM準拠のバーストMCPピン配置

フラッシュメモリ モバイルFCRAM 容量×搭載チップ数 128メガビット × 1 64メガビット × 2 I/O構成 x16 x16 動作電圧 1.65V 〜 1.95 V 1.65V 〜 1.95 V 動作温度範囲 -30℃ 〜 +85℃ -30℃ 〜 +85℃ バースト動作周波数 66メガヘルツ 66メガヘルツ バーストアクセスタイム(最大) 11 ナノ秒 12 ナノ秒 アドレスアクセスタイム(最大) 56 ナノ秒 70 ナノ秒 ページアクセスタイム(最大) − 20 ナノ秒 アクティブ電流(最大) 30 ミリアンペア 30 ミリアンペア スタンバイ電流(最大) 10 マイクロアンペア 120 マイクロアンペア（※） パワーダウン電流(最大) − 10 マイクロアンペア（※） 消去／書き込み回数(最小) 10万回 −

（※）1チップあたりの値です。

【用語説明】

(*1)バーストモード（Burst Mode）機能:

システムクロックに同期した連続高速読み出しができる動作モードで、一部のアドレスを指定するだけで、そこから連続した一定アドレスのデータを高速に読み出せる機能です。FCRAMにおいては、書き込み時にもバーストモードを使用できます。

(*2)モバイルFCRAM（Fast Cycle Random Access Memory）：

FCRAMは、当社が独自に開発した高速・低消費電力の次世代メモリコアです。モバイルFCRAMは、FCRAMコアにSRAMインタフェースを搭載した擬似SRAMです。

(*3)MCP（Multi Chip Package)：

省スペース化のために複数のチップを1つのパッケージにしたものです。

(*4)128メガビットNOR型フラッシュメモリ：

単体製品として「MBM29BS12DH」を本年4月10日に発表しました。

(*5)Common Specifications for Mobile RAM （COSMORAM)：

本年2月17日に、株式会社東芝、NECエレクトロニクス株式会社、富士通株式会社の3社で共同発表した、バースト機能搭載擬似SRAMおよびそれを搭載したMCPに関する3社共通仕様の名称です。

(*6)64MbモバイルFCRAM：

単体製品として「MB82DBS04163B」を本年5月14日に発表しました。

【商標について】

• FCRAMは、富士通株式会社の登録商標です。
• 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。