| [ PRESS RELEASE ](製品・サービス) | 
          
2003-0064 
2003年4月10日 
富士通株式会社  | 
         
       
       
1.8V単一電源 
 128メガビット バーストモード搭載フラッシュメモリ、および 
スーパーCSP採用8メガビット フラッシュメモリを新発売
 
  
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当社は、1.8Vの低電圧電源で動作する、携帯機器向けNOR型(*1)128メガビット バーストモード(*2)搭載フラッシュメモリ「MBM29BS12DH」および、ブルートゥース(Bluetooth)などの無線通信モジュールや超小型携帯機器向けスーパーCSP(Super-CSPTM)を採用したNOR型8メガビット フラッシュメモリ「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」を開発し、4月10日より販売開始します。
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【販売価格および出荷時期】
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  | 製品名 | 
  販売価格(税別) | 
  出荷時期(サンプル) | 
  
 
  | 「MBM29BS12DH」 | 
  4,000円 | 
  2003年4月10日 | 
  
 
  | 「MBM29SL800TE」 | 
  400円 | 
  2003年4月10日 | 
  
 
  | 「MBM29SL800BE」 | 
  400円 | 
  2003年4月10日 | 
  
 
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【販売目標】
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| 「MBM29BS12DH」 | 100万個/月 |  
| 「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」 | 10万個/月(2品種合計) |   
  
【「MBM29BS12DH」の主な特長】
- 高速読み出し動作を実現
 
 
- 電源投入後のアドレス固定からデータの出力までの初期立上げ時間(イニシャル
タイム)は、最速で46ナノ秒です。(80MHz動作・ハンドシェイクモード(*3)時)
 - バーストモード時のアクセスタイムは、8.5ナノ秒です。(80MHz動作時)
 - コンフィグレーションレジスタの設定により、システムに最適なバーストモードを
選択可能です。
  
- 低消費電力
 
 
- バーストアクセス読出しを実現するために、2ワード分のセンスアンプ数におさえることで、消費電力を他社に比べて低くすることができました。
 - スタンバイ状態では他社同等品と比較し約1/20の低消費電力を達成しました。
  
【「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」の主な特長】
- 超小型パッケージSuper-CSPTM に搭載
  
- Super-CSPTMを採用したことにより省スペース化が可能です。チップ単体に比べ、取り扱いが容易なため、二次実装信頼性が向上しました。
  
- 高速アクセスタイムを実現
  
- 動作電圧1.8Vでアクセスタイム90ナノ秒の高速動作を実現しました。
  
【開発の背景】
近年、携帯電話などの携帯機器は機器の高速化・高機能化が著しく進んでおり、搭載されるフラッシュメモリに対しても大容量化、低消費電力化、高速動作が求められてきています。さらに、この携帯機器とパソコンや家電製品とのデータのやり取りには、Bluetoothに代表される無線通信技術が広く使用されてきています。 
当社は、携帯電話市場におけるフラッシュメモリに対して、大容量、低電圧動作を可能にした128メガビットバースト品と、携帯機器の組み込みモジュール向けにスーパーCSP(Super-CSPTM)に搭載した8メガビットフラッシュメモリ品を開発いたしました。 
【主な仕様】
 
  
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  「MBM29BS12DH」 | 
  「MBM29SL800TE」 | 
  「MBM29SL800BE」 | 
  
 
  | プロセス技術 | 
  0.13ミクロンメートル CMOSプロセス | 
  0.23ミクロンメートル CMOSプロセス | 
  
 
  | セル構造 | 
  二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル | 
  二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル | 
  
 
  | 電源電圧 | 
  1.65V〜1.95V | 
  1.65V〜1.95V | 
  
 
  | メモリ容量 | 
  128メガビット | 
  8メガビット | 
  
 
  | I/O構成 | 
  x16 | 
  x8/x16 | 
  
 
  バンク構成 (4バンク構成) | 
  バンクA:16メガビット バンクB:48メガビット バンクC:48メガビット バンクD:16メガビット | 
  
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  | 低消費電力動作 | 
  
- オートマチック・スリープモード搭載 スタンバイ電流
 :10マイクロアンペア(最大) 
- スタンバイ電流
 :0.2マイクロアンペア  (標準) 
- 読み出し動作電流
 :30ミリアンペア(最大)- バースト・モード、f=80MHz時 
- 書き込み/消去動作電流 
 :40ミリアンペア(最大) 
 
   | 
  
- オートマチック・スリープモード搭載スタンバイ電流
 :5マイクロアンペア(最大) 
- スタンバイ電流
 : 1マイクロアンペア(標準) 
- 読み出し動作電流
 :20ミリアンペア(最大)  -ワード・モード、f=10MHz時 
- 書き込み/消去動作電流
 :25ミリアンペア(最大) 
 
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  | 消去/書き込み回数 | 
  最低 10万回 | 
  最低 10万回 | 
  
 
  | パッケージ | 
  標準・FBGA-80ボール | 
  標準・Super-CSP-45ボール | 
  
 
  | その他機能 | 
  
- アクセラレーション
 
- バーストサスペンド
 
- ハンドシェイクモード
 
 
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【用語説明】
- 
- (*1)NOR型:
 - フラッシュメモリのメモリ部を負論理回路で構成することにより、高速・ランダムにデータが読み出せます。
 - (*2)バーストモード(Burst Mode):
 - 一部のアドレスを指定するだけで、そこから連続した一定アドレスのデータを高速に読み出せる機能です。
 - (*3)ハンドシェイクモード:
 -  最初に読み出すピンを監視することで、バーストモード読み出し時の初期待機時間に無駄が生じないようにする設定。
  
  
【商標について】
記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。 
      以 上 
      
      関連リンク 
 「MBM29BS12DH」製品写真 JPEG 109KB 
 「MBM29SL800TE/BE」製品写真 JPEG 109KB 
 
      
      
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