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当社はこのほど、1.8V単一電源動作で高速ページモードを採用した 32メガビット デュアル・オペレーション(データの読出し、書込み/消去が同時に実行可能な)フラッシュメモリ「MBM29PDS322TE」と「MBM29PDS322BE」の2製品を、米国アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)社と共同で開発し、9月27日より、順次発売いたします。
近年、携帯電話市場は急速に拡大しており、全世界における携帯電話出荷台数は、平成11年度、2億6千万台、平成12年度は4億台に達すると予想されています。(共に当社調べ)携帯電話は、通話品質の向上に加え、インターネット接続や動画対応など、ますます多機能化しており、搭載されるフラッシュメモリにも、高速・省電力化が強く要求されております。
本製品には、携帯電話の長時間使用を実現する1.8V単一電源動作や、通話中録音等を行えるデュアル・オペレーション機能があります。さらに、ページモード機能によりインターネット経由で配信される動画像のような大容量データの高速読み出し(45ナノ秒)を実現いたしました。
また、不正コピーを防止するHi-ROM *1機能や、システム搭載時に通常より高速に書込み可能なアクセラレーション機能など、さまざまな機能を搭載し、多機能化する携帯電話のニーズにお応えいたします。
当社は、今後もフラッシュメモリのリーディングカンパニーとして、さらなる多機能化や、低消費電力化に積極的に取り組み、製品の品揃えを強化してまいります。
【サンプル価格】
4,000円 ( TSOP*2の場合 )
【出荷時期】
| サンプル | : 平成12年9月から |
| 量産 | : 平成12年12月から |
【販売目標】
100万個 / 月 (2製品合計)
【主な仕様】
| ・ | プロセス | : | 0.23ミクロンCMOSプロセス |
| ・ | セル構造 | : | 二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル |
| ・ | 出力構成 | : | 2メガワード x 16ビット (32メガビット) |
| ・ | デュアル・オペレーション機能 |
| ・ | バンク構成 (2バンク構成) : バンク1; 4メガビット, バンク2; 28メガビット |
| ・ | セキュリティ | : | Hi-ROM機能(不正コピーを防止するセキュリティ機能/領域:128ワード最小) |
| ・ | WP#/ACC機能搭載 : |
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| WP# | : | MBM29PDS322TEはアドレス最上位、MBM29PDS322BEはアドレス最下位に配置されているブートセクタの一部(4キロワードx2個)をハードウェアー的にプロテクト |
| ACC | : | 外部からの高電圧印可により書き込み時間の短縮が可能 |
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| ・ | Common Flash Memory Interface(CFI) 搭載 |
| ・ | アクセスタイム : |
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| アドレス(標準) | : 100/120ナノ秒(最大) |
| アドレス(ページモード) | : 45/50ナノ秒(最大) |
| CE# | : 100/120ナノ秒(最大) |
| OE# | : 35/50ナノ秒(最大) |
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| ・ | 単一電源動作 | : | 1.8 V 〜 2.2 V |
| ・ | 低消費電力 : |
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| オートマチック・スリープモード搭載 スタンバイ電流 : 1マイクロアンペア(標準) |
| 読出し動作 | : | 21ミリアンペア(最大)-ワード・モード、f=8MHz時 |
| 書込み/消去動作 | : | 30ミリアンペア(最大) |
| 消去/書込み回数 | : | 10万回(最小) |
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| ・ | ブートブロック・アーキテクチャ : |
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| MBM29PDS322TE | : | ブートブロックがアドレスの最上位に配置 |
| MBM29PDS322BE | : | ブートブロックがアドレスに最下位に配置 |
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| ・ | パッケージ : |
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| 標準48ピン・プラスチックTSOPパッケージ |
| 標準63ボール・FBGA*3パッケージ |
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【用語説明】
- *1
- Hi-ROM (Hidden Read Only Memory):セキュリティコードや固有の情報を入力しておく領域
- *2
- TSOP(Thin Small Outline L-Leaded Package):薄形表面実装パッケージの一種
- *3
- FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array):ボール端子間隔が0.8mm以下の表面実装パッケージの一種
以 上
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