平成8年8月29日 富士通株式会社

当社はこのほど、3V単一電源のラインナップ強化として、2Mビットフラッシュメモリ「MBM29LV002T/B」(8 ビット構成のみ) および「MBM29LV200T/B」(8、16ビット構成 選択可)を、米国アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)社と共同で開発・製品化し、8月29日よりサンプルの受注を開始いたします。

フラッシュメモリは、携帯機器やパソコンなどの電子情報機器向けに、大きな需要が見込まれており、機器の省電力化にともない、フラッシュメモリにも低電圧/低消費電力が求められています。
当社では、94年10月より5V単一電源のフラッシュメモリを製品化しており、現在2M〜16Mビット品を取り揃えております。さらに今年 1月には3V単一電源の8Mビット、4月に4Mビットを製品化し、ご好評をいただいております。
今回の2Mビット品は、これに続くもので、製品ラインナップの充実をはかりました。

本製品は、0.5ミクロンのCMOS微細加工技術を採用しており、チップサイズは5.0mm×4.57mm(22.85m2)を実現しております。
また、ネガティブ・ゲート消去技術*の採用と低電圧回路技術によって、3v単一電源を実現しております。データの読み出しだけでなく、消去/書込みもすべて2.7V(最小)で動作可能です。
さらに、より一層小型化を実現するSONパッケージも随時用意してまいります。
今後さらに需要が見込まれている携帯電話やパソコンの基本的な制御プログラムの格納(BIOS)用途などに最適です。

なお、製造はAMD社との合弁会社である富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ株式会社(本社:福島県会津若松市,社長:柳田 公雄)にて行います。

*ネガティブゲート消去技術
消去時にメモリセルのトランジスタに加えられる各電圧値を最適化することにより、内部で生成する電圧値を最小限に抑え、3V単一電源化を実現する技術。

[サンプル価格]	800円
[出荷時期]	サンプル:平成8年8月から(SON対応は、平成8年10月) 量産:平成8年10月から
[販売目標]	10万個/月(全製品合計)

【「MBM29LV002T/B」「MBM29LV200T/B」の特長】

1. 低消費電力化/低コストを実現する3V単一電源フラッシュメモリ
   「MBM29LV002T/B」「MBM29LV200T/B」は3V単一電源を実現し、デバイス単体のコスト低減をはかりつつ、また、書込み用や消去用の12V,5V電源を必要としないため、お客様のシステムレベルでもさらなるコスト低減を実現します。

2. 5V単一電源ラインナップとのコマンド互換性を維持
   5V単一電源品とコマンドレベルでの互換性を維持しており、プログラムの書き換えが不要なため、3Vへの置き換えが簡単にできます。

3. 高性能・高信頼を実現
   いったん自動消去または自動書込みコマンドを実行すると、チップ内部でそれぞれのシーケンスを自動的に実行し、デバイス自身が消去または、書込み動作中でもCPUを開放して、高いシステム性能を実現いたします。
   また2.7Vという低電圧下で、ランダムな読み出し時間は最大120ナノ秒と高速で、3Vは100ナノ秒まで保証しております。
   書き換え回数は最低10万回保証されておりますので、書き換えが頻繁に発生するアプリケーションにおいても高い信頼性が得られます。

4. 自動スリープ機能
   この機能は電池を使用する携帯機器などのアプリケーションで威力を発揮します。
   「MBM29LV002T/B」, 「MBM29LV200T/B」はアドレスが300ナノ秒以上固定されると自動的にパワーダウン・モードに切り換わります。そのときの消費電力はスタンバイ・モードと同じです。この自動スリープ機能は/CE端子、/WE端子や/OE端子の状態とは無関係に作動いたします。

〔別紙〕: 主な仕様

以上