・プロセス技術	0.5 ミクロンCMOSプロセス
・メモリセル	二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル
・チップサイズ	5.0mm × 4.57mm
・ワード/ビット構成	MBM29LV002T/B;256Kワード × 8ビット構成 MBM29LV200T/B;128Kワード × 16ビット構成 256Kワード× 8ビット構成
・セクタ構成	16Kバイト,8Kバイト× 2,32K バイト,64Kバイト×3
・3V単一電源による消去/書込み/読み出しモード
・電気的セクタ消去	自動消去機能搭載 複数セクタ同時消去機能搭載 書込み/消去の禁止・許可機能搭載 消去一時停止/消去再開機能搭載 消去一時停止中の書込み/読み出し機能搭載 セクタ消去時間 : 1秒(標準)
・書込み	自動書込み機能搭載 書込み時間 : 11マイクロ秒(標準)
・消去/書込み回数	10万回(最小)
・高速読み出し	アドレスアクセス : 100 ナノ秒* /120 ナノ秒/150 ナノ秒(最大) CEアクセス : 100 ナノ秒* /120 ナノ秒/150 ナノ秒(最大) OEアクセス : 35 ナノ秒* /50 ナノ秒/50 ナノ秒(最大) * Vcc =3.0 〜3.6Vにおける仕様。他は2.7 〜3.6Vにおける仕様です。 (消去・書込み動作はVcc =2.7 〜3.6V条件で可能です。)
・自動スリープ機能	アドレス固定時間が300ナノ秒以上で自動的に作動
・低消費電流	リードモード動作時 : 30mA(最大) 自動スリープ機能 スタンバイ時(TTL) : 250マイクロA(最大) スタンバイ時(CMOS) : 5マイクロA(最大)
・パッケージ	「MBM29LV002T/B」 標準型40ピン・プラスチックTSOP 40ピン・プラスチックSON(平成8年10月より対応) 「MBM29LV200T/B」 標準型48ピン・プラスチックTSOP 標準型44ピン・プラスチックSOP