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PRESS RELEASE

2019年12月18日
株式会社富士通研究所

高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor）がIEEEマイルストーンに認定

IEEE およびIEEEマイルストーンについて

IEEE（The Institute of Electrical and Electronics Engineers）は、世界160ヶ国以上に42万人の会員を持つ、電気、電子、情報、通信などの分野における世界最大の学会です。IEEEマイルストーンは、これらの分野において、開発から25年以上に渡って、地域社会や産業の発展に多大な貢献をした歴史的業績を認定する制度です。

HEMTについて

HEMTは、トランジスタ内の電子の発生と走行領域を空間的に分離した二層構造にすることで高速動作できる新構造トランジスタです。この特長により、高周波特性に優れ、微弱な高周波信号を高感度に受信することが可能です。HEMTは、1985年に世界一雑音の小さいマイクロ波半導体デバイス製品として富士通株式会社で製品化し、国立天文台野辺山宇宙電波観測所（長野県南佐久郡）の電波望遠鏡に採用されました。また、翌年の1986年には、未知の星間分子を発見するなど基礎科学の進展に大きく貢献しています。その後、世界各国の衛星放送受信機への搭載を皮切りに、携帯電話端末や基地局、GPS用受信機、自動車の衝突を防止するミリ波レーダーなど、マイクロ波・ミリ波領域の各種装置で高速・低雑音性能に優れた素子として必須部品となり、現在に至るまで情報通信社会を支える基盤技術として貢献し続けています。

注釈

注1 株式会社富士通研究所：

本社 神奈川県川崎市、代表取締役社長 原 裕貴。

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