- > プレスリリース >
PRESS RELEASE
2006年2月15日
株式会社東芝
NECエレクトロニクス株式会社
富士通株式会社
東芝、NECエレクトロニクス、富士通が、モバイル機器向け擬似SRAM
の共通仕様第4弾「COSMORAM Rev.4」に合意
株式会社東芝、NECエレクトロニクス株式会社、富士通株式会社は、モバイル機器向け擬似SRAM(注1)のインターフェース共通仕様「COSMORAM (COmmon Specifications for MObile RAM)」の第4弾「COSMORAM Rev.4」について合意しました。本仕様にもとづく擬似SRAMの製造および販売は、3社がそれぞれ独自に行い、2006年度末から各社より順次提供する予定です。
3社は、フラッシュメモリとSRAMを混載するマルチ・チップ・パッケージ仕様の共通化に取り組み、1998年9月に仕様共通化を行いました。その後、擬似SRAMの共通インターフェース仕様「COSMORAM」として、2002年3月には、ページモード機能搭載の擬似SRAM仕様（Rev. 1）、2003年2月には、バースト機能搭載の擬似SRAM仕様（Rev. 2）、また2004年9月にバースト機能の追加仕様（Rev. 3）について、それぞれを共同発表しています。「COSMORAM」仕様により、3社のインターフェースが互換性を持ち、お客様は安心して、高速で大容量化が容易な擬似SRAM製品をご利用いただけるようになりました。
今回の「COSMORAM Rev.4」では、データ転送速度を最大2倍にするダブル・データ・レート・バースト機能(以下、DDRバースト)(注2)を搭載した擬似SRAMの新仕様を共通化しました。DDRバースト機能は、従来品に比べピーク時で2倍のデータバンド幅を実現し飛躍的なデータ読み書き性能の向上が可能となります。また初期アクセスタイムを従来の約半分に短縮できるショート・レイテンシ・モードにより、実行データ転送速度も合わせて向上しています。これらの機能は、今後ますます高速処理が必要とされる携帯電話や携帯情報端末に適しています。
今回の仕様共通化により、お客様は、従来の「COSMORAM」仕様と同様に、設計基板を共通化できるため、設計期間の短縮や設計効率の大幅な向上を実現できます。また、3社によってお客様への安定した擬似SRAM製品の供給を図ることができます。
「COSMORAM Rev.4」で共通化した主な項目は次の通りです。
商標について
記載されている会社名および商品名は各社の商標または登録商標です。
以上
注釈
- 注1 擬似SRAM (PSRAM, Pseudo SRAM):
- 大容量化とビットコスト低減を実現するためにDRAMのセルアレイを用い、データ記憶保持に必要なリフレッシュ動作をメモリ素子内部で自己管理する機能を持つSRAM互換メモリのこと。高機能化に伴いメモリの大容量化が急速に進んでいる携帯電話に適しています。
- 注2 ダブル・データ・レート・バースト機能:
- 2つのクロック信号の立ち上がりに同期してデータの読み出し・書き込みを行う方式。
- 注3 真理値表:
- デバイスの動作モードとそれを設定する外部コントロール信号の組み合わせを規定した表。
- 注4 モード・レジスタ:
- 制御コードを保持する内部レジスタで、外部からデバイスの動作モード設定を行います。
本件に関するお問い合わせ
株式会社東芝 セミコンダクター社 モバイルメモリ営業担当
電話: 03-3457-3401（直通）
E-mail: semicon@toshiba.co.jp
NECエレクトロニクス株式会社 半導体ホットライン
電話: 044-435-9494（直通）
E-mail: info@necel.com
富士通株式会社 電子デバイス事業本部 システムメモリ統括部 アプリケーション・エンジニアリング部
電話: 03-5322-3324（直通）
E-mail: edevice@fujitsu.com
プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容、お問い合わせ先などは、発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。あらかじめご了承ください。
