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[ PRESS RELEASE ]
2004-0048
2004年3月19日
富士通株式会社

90nm及び65nmテクノロジーのロジックLSI量産新棟構築

〜300mm大口径ウェーハに対応〜

当社はこのほど、半導体製造拠点の一つである三重工場(三重県多度町)敷地内に最先端量産技術の90ナノメートル(以下、nm)、および次世代の65nmに対応した300mm大口径ウェーハ採用のロジックLSI量産新棟を構築することを決定いたしました。

新棟は2005年4月より稼動、90nmの需要が本格化する2005年9月より量産出荷を開始します。第一段階として2005年度までに約750億円を投資、第二段階以降の投資は市場の需要動向を見極めながら段階的に実施し、最終的な投資総額は1600億円になる予定です。最大実装時には月産1万3,000枚の生産能力となります。

当社はあきる野テクノロジセンター(東京都あきる野市)にて最先端の90nmテクノロジーを使用したLSIの開発ならびに初期量産に注力し、2003年1月の製品出荷開始後順調に社内外のお客様に製品を提供しております。本センターで開発した90nmテクノロジーは、最先端トランジスター技術、銅配線、Low-k(注)技術で極めて性能優位性がある上、大規模SoC開発に適した標準設計フローを開発・導入済みであり、自社製品用に加えて国内・海外先端技術パートナーとの商談も順調に進んでおります。これらお客様の所要に、特にコスト、安定供給の面でお応えするべく、新棟建設を行なうものです。

新棟は、大規模量産向けでありながら少量多品種にも対応できるロジックLSI専用工場です。また、企画段階より環境負荷軽減に取り組み、排出量の大幅削減を図るなどグリーンファクトリーを目指しております。加えて地震災害リスクを回避した安定供給によりお客様のビジネスを守るため、世界で初めて微振動と地震動との両方を制御するハイブリッド免震構造を採用する半導体工場となります。

【新棟の概要】

  1. 対象テクノロジー:90nm・65nm CMOSロジック
  2. ウェーハ口径:300mm
  3. クリーンルーム面積:1万2,000m2
  4. 生産能力:月産1万3,000枚(最大実装時)
  5. 生産システム:最小管理単位1枚、マルチパーツ処理可能
  6. 稼動予定時期:2005年4月

【三重工場の概要(現状)】

  1. 住所:三重県桑名郡多度町御衣野1500番地
  2. 従業員数:1,020人
  3. 主な製品:0.18マイクロメートル・0.13マイクロメートル ASIC、ASSP、MCU
  4. 生産能力:月産1万1,000枚
(注)Low-k:比誘電率の低い層間絶縁膜。配線容量を小さくする効果があり、最先端テクノロジーで超高速動作と低消費電力化を実現するために使用。

以上

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