| [ PRESS RELEASE ] |
2004年1月26日
MoSys Inc.
富士通株式会社 |
モシスと富士通、大容量組込みメモリ技術「1T-SRAM-QTM」の
テクノロジライセンス契約を締結
MoSys Inc.（本社：カリフォルニア州サニーベール市、以下、モシス）と富士通株式会社（本社：東京都港区、以下、富士通）は、富士通がモシスの大容量組込みメモリ技術「1T-SRAM-Q」を利用した組込みメモリを、富士通の0.13マイクロメートル（以下、 m）ロジックプロセスで設計・製造するというテクノロジライセンス契約を締結しました。
富士通は、モシスの「1T-SRAM-Q」を利用し、デジタルカメラやデジタルビデオカメラなどのコンシューマ製品向けLSIに、大容量組込みメモリのソリューションを展開していきます。
富士通がeDRAM（DRAM混載技術）ではなく「1T-SRAM-Q」を採用したのは、「1T-SRAM-Q」の特長である、標準的なロジックプロセスで製造できる点を評価したためです。
富士通は現在の0.13mロジックプロセスだけでなく、次世代のロジックプロセスにおいても、モシスとの協力関係を継続し、お客様の大容量組込みメモリのソリューションへの要求に応えていきます。
モシスのマーク エリック ジョーンズ副社長兼IP部門ゼネラル・マネージャは、「富士通は、今回のテクノロジライセンス契約によって、自社およびお客様向けASICの開発に最適なソリューションを提供するため、富士通の持つ豊富なメモリ設計技術を活用することができます。ASIC開発において、ますます重要性が高まっている大容量組込みメモリへの要求を満たすテクノロジとして、富士通が『1T-SRAM-Q』を採用したことを、我々は大変喜ばしく思っています。」と述べています。
モシス インターナショナル インクの島内秀日本支社代表は、「富士通のビジネスを通して、より多くのお客様にモシスの『1T-SRAM-Q』が認知されることを、我々は大変喜ばしく思っています。」と述べています。
「1T-SRAM-Q」について
「1T-SRAM-Q」はモシスより提供されている、最先端のエンベデッドメモリソリューションのひとつです。「1T-SRAM-Q」は0.13mにおいて、汎用6トランジスタSRAMの約4分の1のビットセルサイズで、非常に高密度を達成します。また、「1T-SRAM-Q」は標準ロジックプロセスを用い、クリティカルでない1枚のマスクを追加するだけで、その他のロジックIPブロックやライブラリーを変更することなく、コスト効率良く大容量メモリをシステムオンチップ（SoC）に搭載可能とします。また、「1T-SRAM-Q」はモシスの持つ、Transparent Error CorrectionTM（TECTM）テクノロジが併載されており、これにより歩留まり向上、レーザーリペア無しにても信頼性を確保し、ソフトエラーレートの向上を達成します。
モシスについて
モシスは1991年に創立して以来、革新的な半導体メモリ技術を開発しライセンス供与・販売を行っています。モシスが特許を有する1T-SRAM®技術は、ほかでは達成できない、高密度・低消費電力・高速・低コストのすべてを実現可能にします。1T-SRAM技術は1トランジスタのビットセルを採用することにより、標準ロジックプロセスを使いながら、従来の4トランジスタ、6トランジスタのSRAMを上回る高集積度を達成する技術となりました。
さらに、従来のSRAMの利点であるリフレッシュのいらない便利なインタフェースと高性能のランダムアドレスアクセスサイクルも実現しています。それに加えて、消費電力を従来のSRAM技術に比べておよそ4分の1まで抑えています。従って、1T-SRAMはSoC設計に大容量メモリを搭載するのに理想的な技術です。モシスの1T-SRAM技術ライセンスの下、6,000万個以上のチップがすでに出荷されており、この事実はあらゆるタイプのシリコンプロセスおよび、あらゆるアプリケーションでの生産性の高さを実証しています。本社は米国カリフォルニア州サニーベール市（NASDAQ：MOSY）。詳細はhttp://www.mosys.com。
【商標について】
「1T-SRAM®」は米国特許商標庁に登録されたモシスの商標です。
以上
関連リンク
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