欧州に、初のFRAM事業拠点を開設
〜FRAM搭載システムLSIの開発・設計体制を強化〜
富士通株式会社(以下 富士通)と、 富士通マイクロエレクトロニクスヨーロッパ
(以下 FME, 本社：独 ドライアイヒ ブフシュラク州，社長：鈴木 豊)は、FRAM
( *1)事業における、R&D、およびマーケティングを行う欧州拠点として、フランスに
『FME FRAM センタ』を10月15日に開設し業務を開始いたします。
FRAM製品の有望市場である多目的ICカードにおいて、欧州地域の販売数量は、
現在、世界の8割のシェアを占めています。なかでもフランス市場は、ICカードの標
準化と供給体制などで世界の牽引役となっています。富士通とFMEは、本センタを
新設することにより、ICカード市場に向けてFRAM製品の普及を促進してまいります。
ICカード市場は、2001年度は全世界で約400億円、2004年までに年率30%以上
の成長が見込まれています(富士通調べ)。今後ICカード市場では、より高度なセキ
ュリティ技術とデータの高頻度書き換えが要求される多目的ICカードや、高速読み書
きを行える非接触ICカードへの需要が高まることが予想されております。FRAMは、
現在ICカードに搭載されているEEPROM( *2)と比較(当社比)して、書き込み速度
約1,000倍、書き込み時消費電力約100分の1、書換え回数10万倍以上という優れ
た特長があり、これらの要求に十分対応できます。
当社は今後も、FRAM技術に、高度なセキュリティ技術と、ソフトウェア技術を融
合し、ICカードのさまざまな要求にお応えできるデバイスソリューションをいち早く
提供してまいります。
- 【FME FRAM センタについて】
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| ・名 称： |
『富士通マイクロエレクトロニクス FRAMセンタ』(FME100%子会社) |
| ・住 所： |
105, Rue Jules Guesde, 92300 Levallois Perret, France
(フランス ルバロワ ペレ 92300 ジュールゲスド通り 105番地) |
| ・従業員数： |
当初7人、2004年度25人 |
| ・業務内容： |
FRAMプロダクトのサポート、およびアプリケーション開発ツールのサポート |
【用語説明】
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- *1 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)：
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強誘電体材料を利用した電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。
低消費電力で、高速書込み、高頻度書き換えが行えます。
- *2 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)：
- 不揮発性半導体メモリの一種です。
【商標について】
- FRAMはラムトロン社の登録商標です。
- その他の製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
以 上
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