当社はこのほど、世界で初めて、フラッシュメモリとFCRAM(R) *1をワンパッケージ化した、スタック(積み重ね)型マルチチップパッケージ3製品を開発し、7月5日から順次発売いたします。 同時に、フラッシュメモリとSRAMをワンパッケージ化した世界最小のマルチチップパッケージなど9製品を新たに開発し、マルチチップパッケージのラインアップを強化いたします。
近年、市場が急速に拡大している携帯電話は、モバイルバンキング、チケット予約など、さまざまなサービスが付加されています。来年、世界に先駆けて国内サービスの開始が予定されている次世代移動通信システム「IMT-2000 *2」では、インターネット上の動画閲覧や画像のダウンロードが可能になり、さらに高機能化が予定されています。これに伴い、機器に搭載するメモリの大容量化・低消費電力化、パッケージの小型化が求められております。
携帯電話向けのマルチチップパッケージには、フラッシュメモリと非同期型SRAMが搭載されておりますが、現在使用されている非同期型SRAMの単体容量は最大でも8メガビットです。
当社は、携帯電話向けのマルチチップパッケージに、FlexBank(TM) *3 アーキテクチャ方式を採用した大容量64メガビット デュアル・オペレーション *4フラッシュメモリと、非同期型SRAMの代替として、非同期型SRAMインターフェースを採用した16メガビットFCRAMをワンパッケージ化し、高機能化する携帯電話の大容量メモリニーズにお応えいたします。 また、FCRAMの低電力性を活かし、2.3〜2.7Vの低電圧動作を可能にいたしました。
同時開発の16メガビットデュアル・オペレーションフラッシュメモリと2・4メガビットSRAMのスタック型マルチチップパッケージは、従来比1/2と世界最小サイズ(7.0mm×7.2mm×1.2mm)を実現いたしました。
当社は、平成10年より、システムLSIの小型化を実現するマルチチップパッケージを、業界に先駆けて開発してまいりました。今後もお客様のニーズにお応えするマルチチップパッケージの開発・提供を積極的に行い、搭載機器の高機能化を促進いたします。
| 【サンプル価格】 | MB84LD23380EF : 8,000円 |
| 【サンプル出荷時期】 | 平成12年7月5日より (量 産: 平成12年9月初旬) |
| 【販売目標】 | 100万個/月 |
【主な仕様】
- 品種構成 (フラッシュメモリは、全てデュアル・オペレーションフラッシュメモリ)
| フラッシュメモリ |
| 16メガビット(注1) | 32メガビット(注2) | 64メガビット(注3) |
| RAM | 2メガビットSRAM | MB84VD2108xEA
MB84VD2109xEA
(7.0x7.2x1.2mm) | - | - |
| 4メガビットSRAM | MB84VD2118xEG
MB84VD2119xEG
(7.0x7.2x1.2mm) | MB84VD2218xEA
MB84VD2219xEA
(7.0x11.0x1.2mm) | - |
| 8メガビットSRAM | - | MB84VD2228xEA
MB84VD2229xEA
(7.0x12.0x1.2mm) | MB84VD23280EA
(11.0x12.0x1.4mm) |
| 16メガビットFCRAM | - | MB84LD2238xEF
MB84LD2239xEF
(7.0x11.0x1.2mm) | MB84LD23380EF
(11.0x12.0x1.4mm) |
注1: トップ/ボトム・ブート・ブロックタイプ (x=1〜4、バンク構成比により4種類)
注2: トップ/ボトム・ブート・ブロックタイプ (x=2〜4、バンク構成比により3種類)
注3: FlexBank(TM) アーキテクチャ方式
- アドレスアクセス/電源電圧
| 製 品 名 | アドレスアクセス(最大) | 電源電圧 |
MB84VD2108xEA/09xEA
MB84VD2118xEG/19xEG | 85ナノ秒 | 2.7 〜 3.3V |
MB84VD2218xEA/19xEA
MB84VD2228xEA/29xEA
MB84VD23280EA | 90ナノ秒 |
| MB84LD23380EF | 100ナノ秒 | 2.3 〜 2.7V |
| MB84LD2238xEF/39xEF | 120ナノ秒 |
- パッケージ(0.8mmボールピッチ、JEDEC準拠ボール配置)
| 101ボール・スタックMCP | ［MB84VD23280EA/ MB84LD23380EF］ |
| 71ボール・スタックMCP | ［MB84VD2218xEA/19xEA，MB84VD2228xEA/29xEA，MB84LD2238xEF/39xEF］ |
| 56ボール・スタックMCP | ［MB84VD2108xEA/09xEA, MB84VD2118xEG/19xEG］ |
【用語説明】
| *1 | FCRAM:富士通独自開発の次世代メモリコア技術です。 |
| *2 | IMT-2000:第三世代の携帯電話システムで、高速移動中に、毎秒144キロビット、静止中は現行方式の6倍に当たる同384キロビットのデータ送受信が可能です。また、世界共通の番号を割り振られるため、海外でも国内と同様に使えるようになります。 |
| *3 | FlexBank:メモリ領域を物理的に4分割(8メガ、24メガ、24メガ、8メガ)し、各々の組み合わせにより、2つのバンクを構成することができます。 |
| *4 | デュアル・オペレーション(フラッシュメモリ):データの読出・書込・消去を同時に実行できます。 |
【商標】
- FCRAMは、富士通株式会社の登録商標です。
- FlexBankは、富士通株式会社の商標です。
以 上
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