当社はこのほど、業界で初めて、次世代携帯電話向け16メガビットFCRAM (R)(*1)「MB82D01160」と「MB82D01161」の2製品を開発し、6月27日より発売いたします。
近年、携帯電話市場は急速に拡大しており、2000年の携帯電話ワールドワイド出荷台数は約4億台と大幅な伸びが見込まれています。携帯電話は、通話機能に加え、電子メールやインターネット、音楽配信などさまざまな機能が付加されており、今後ますます予想される高機能化に伴い、搭載されるメモリにも大容量化が求められています。
携帯電話には、フラッシュメモリおよび非同期型SRAM (*2)の2種類のメモリが搭載されておりますが、現在使用されている非同期型SRAMの単体容量は最大でも8メガビットです。
このような次世代携帯電話に要求される非同期型SRAMの代替えとして、当社は、独自開発の高速・低消費電力メモリFCRAMをコアに、携帯電話向けRAMとして世界最大容量の16メガビットFCRAMを提供いたします。
本製品は、FCRAMコアの低消費電力性を活かし、アクティブ電流(動作時電流)30ミリアンぺアと低消費電流を実現しております。
また、インタフェースには、携帯電話用の標準メモリインタフェースである非同期型SRAMインタフェースを採用しており、システム設計者は従来のシステム構成を変更することなく本製品を搭載できます。
パッケージには、搭載面積を削減した小型表面実装タイプの48ピンFBGA (*3)を採用しております。
当社は、本年1月より、グラフィックス・マルチメディア処理向けや、民生機器向けに64メガビットFCRAMを製品化しております。今後も高速・低消費電力のFCRAMコア技術や、高速インタフェース技術、小型パッケージ技術をもとに、お客様のアプリケーションに適したASM(Application Specific Memory)として、高付加価値FCRAMを開発・提供してまいります。さらに、高付加価値FCRAMをコアとしたシステムメモリの開発・提供を積極的に行ってまいります。
| 【サンプル価格】 | 4,000円 |
| 【サンプル出荷時期】 | 平成12年6月27日 |
| 【販売目標】 | 400万個／月(2製品合計) |
【主な仕様】
| ・ | プロセス技術 | : | 0.2ミクロンプロセス ポリシリコン3層メタル3層 |
| ・ | 電源電圧 | : | 2.3V〜2.7V または 2.7V〜3.0V |
| ・ | サイクルタイム | : | 90ナノ秒 | MB82D01160／1-90／90L |
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| 100ナノ秒 | MB82D01161／1-10／10L |
| ・ | アクティブ電流 | : | 30ミリアンペア |
| ・ | スタンバイ電流 | : | 200マイクロアンペア | MB82D01160／1-90／10 |
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| 100マイクロアンペア | MB82D01161／1-90L／10L |
| ・ | バス幅 | : | x16 ビットI/O構成 |
| ・ | パッケージ | : | 48ピン FBGA |
【用語説明】
- (*1)FCRAM(Fast Cycle Random Access Memory)
- 富士通独自開発の次世代メモリコア技術。
- (*2)非同期型SRAM
- 現在携帯電話に広く使用されているStatic Random Access Memory。インタフェース は非同期式(Asynchronous : クロックに同期しないコントロール)のアドレス一括入力方式(Non-Multiplex)。
- (*3)FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)
- ボール端子間隔が0.8ミリメートル以下の表面実装型パッケージの一種。
【商標】
以 上
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