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[ PRESS RELEASE ]	2000-0146 平成12年6月19日 富士通株式会社
1.8V単一電源動作 32メガビット・デュアル オペレーション フラッシュメモリ新発売 〜多機能携帯情報機器の省電力化を強力に推進〜
当社はこのほど、1.8V単一電源動作の32メガビット・デュアル オペレーション(データの読出し ・書込み・消去を同時実行可能)フラッシュメモリを、米国アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)社と共同で開発し、「MBM29DS323TE」と「MBM29DS323BE」の2製品を、6月19日より発売いたします。 データの読出し・書込み・消去を同時に実行できるデュアル オペレーション フラッシュメモリは、高速処理や、高頻度書き換えを必要とする、携帯電話や携帯情報機器を中心に需要が拡大しており、今後さらに低電圧化が求められています。 新製品は、読出し・書込み・消去を同時実行可能なデュアル オペレーションフラッシュメモリとして、100ナノ秒の高速アクセス性能をもちながら、1.8V単一電源の低電圧動作を実現した32メガビット・フラッシュメモリです。 さらに、不正コピーを防止するHi-ROM*1機能、システム搭載時に高速書込みを可能とするアクセラレーション機能などを搭載しております。 当社は、従来より1.8V単一電源動作フラッシュメモリとして8・16メガビット品を提供しており、低電圧を必要とする携帯電話や、携帯情報機器を中心に幅広く使用されています。当社は、今後もフラッシュメモリのリーディングカンパニーとして、一段と多機能化、低消費電力化したフラッシュメモリ製品を開発し、多機能化する搭載機器の省電力化を推進してまいります。 【サンプル価格】 4,000円 (TSOP*2の場合) 【出荷時期】 サンプル : 平成12年 6月19日 量 産 : 平成12年 9月下旬より 【販売目標】 100万個／月 ( 2製品合計 ) 【主な仕様】 ・ プロセス技術 : 0.23ミクロンCMOSプロセス ・ セル構造 : 二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル ・ 出力構成 : 2メガワード x 16ビット / 4メガバイト x 8ビット (32メガビット) ・ デュアル オペレーション機能 ・ バンク構成 : 2バンク構成(バンク1 ; 8メガビット, バンク2 ; 24メガビット) ・ セキュリティ : Hi-ROM機能(不正コピーを防止するセキュリティ機能/領域:64キロバイト) ・ 制御端子 : WP#/ACC WP# : バンク1のブートセクタの一部 (8キロビット x 2個)をハードウェア的にプロテクト ACC : 外部からの高電圧印加により書き込み時間の短縮が可能 注 : WP#は WP upperbar のことを指します。 ・ インタフェース : Common Flash Memory Interface(CFI) ・ アクセスタイム [MBM29DS323TE / MBM29DS323BE] アドレス : 100/120ナノ秒(最大) CE# : 100/120ナノ秒(最大) OE# : 35/50ナノ秒(最大) 注 : CE#は CE upperbar および OE#は OE upperbarのことを指します。 ・ 単一電源動作 : 1.8 V 〜 2.2 V ・ 低消費電力 オートマチック・スリープモード搭載 スタンバイ電流 : 1マイクロアンペア(標準) 読出し動作 : 16ミリアンペア(最大)-ワード・モード、f=5MHz時 書込み / 消去動作 : 25ミリアンペア(最大) ・ 消去 / 書込み回数 : 10万回(最小) ・ ブートブロック・アーキテクチャ MBM29DS323TE : ブートブロックがアドレスの最上位に配置 MBM29DS323BE : ブートブロックがアドレスの最下位に配置 ・ パッケージ 標準型48ピン・プラスチックTSOPパッケージ 63ボール・FBGA*3パッケージ 【用語説明】 *1Hi-ROM(= Hidden Read Only Memory)： セキュリティコードや固有の情報を入力しておく領域。 *2TSOP(= Thin Small Outline L-Leaded Package)： 薄形表面実装パッケージの一種。 *3FBGA(= Fine-pitch Ball Grid Array)： ボール端子間隔が1.0mm以下の表面実装パッケージの一種。 以 上

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