[ PRESS RELEASE ]

1999-0082 平成11年4月26日 富士通株式会社

当社はこのほど、3V単一電源フラッシュメモリのラインナップとして、新たに0.23ミクロンプロセスを採用した大容量NOR型64Mビット・フラッシュメモリ「MBM29LV650UE/651UE,MBM29LV065UE」を、米国アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)社と共同で開発、製品化し、4月26日からサンプルの受注を開始します。

フラッシュメモリは、パソコン、プリンタ、電子楽器などの据え置き型製品から、携帯電話やPDAなどの携帯情報製品や、産業機器まで幅広く使われています。現在、フラッシュメモリの電源電圧は、据え置き型製品では5Vが主流ですが、携帯情報機器では低電圧製品が使用されています。今後、これら機器の小型/省電力/大容量化にともないフラッシュメモリにも同じ条件が求められています。

当社では、すでに3V単一電源品として、2M/4M/8M/16Mビット品を提供しておりますが、今回、新たに0.23ミクロンCMOS微細加工技術を採用した3V単一電源64Mビット・フラッシュメモリを開発いたしました。
また、データの読出/消去/書込みがすべて2.7V(最小)で動作するため、大容量、小型化、低電圧化が要求されるPDAやネットワーク製品のアプリケーション格納に最適です。さらに、自動スリープ機能を搭載しているため、携帯機器など省電力が要求される用途に最適です。

【「MBM29LV650UE/651UE,MBM29LV065UE」の主な機能】

(1)Hi-ROM機能 :機器の大量不正コピーを防ぐためのセキュリティ機能
(2)ライトプロテクト機能:システム・プログラム格納用の領域をプロテクトする機能
(3)アクセラレーション機能:高電圧をかけることにより、 書き込み時間の短縮を実現
(4)5V I/Oデータバス機能:外部より5V電圧をかけることによりI/O端子が5Vにも対応

なお、製造はAMD 社との合弁会社である富士通・エイ・エム・ディ・セミコンダクタ株式会社(本社:福島県会津若松市,社長:柳田 公雄)で行います。

【サンプル価格】	5,500円
【出荷時期】	サンプル : 平成11年5月から(TSOP) 量産 : 平成11年8月から(TSOP) CSPパッケージは、順次対応
【販売目標】	100万個/月(MBM29LV650UE/651UE, MBM29LV065UEトータル)

【主な仕様】

・プロセス技術	:	0.23ミクロンCMOSプロセス
・メモリセル	:	二層ポリシリコン構造 NOR型メモリセル
・出力構成	:	4Mワード×16ビット(MBM29LV650UE/651UE) 8Mバイト×8ビット(MBM29LV065UE)
・セクタ構成	:	32Kワード×128(MBM29LV650UE/651UE) 64Kバイト×128(MBM29LV065UE)
・3V単一電源による消去/書込み/読み出しモード
・電気的セクタ消去	:	自動消去機能搭載 複数セクタ同時消去機能搭載 書込み/消去の禁止・許可機能搭載 消去一時停止/消去再開機能搭載 消去一時停止中の書込み/読み出し機能搭載 セクタ消去時間:1秒(標準)
・書込み	:	自動書込み機能搭載 書込み時間:16マイクロ秒(標準)
・消去/書込み回数	:	100万回(最小)
・高速読み出し	:	アドレスアクセス CEアクセス OEアクセス : : : 80ナノ秒/90ナノ秒/120ナノ秒(最大) 80ナノ秒/90ナノ秒/120ナノ秒(最大) 30ナノ秒/35ナノ秒/50ナノ秒(最大)
・自動スリープ機能	:	アドレス固定時間が150ナノ秒以上で自動的に作動
・低消費電流	:	リードモード動作時 自動スリープ機能時 スタンバイ時(CMOS) : : : 16mA(最大)@5MHz 5マイクロA(最大) 5マイクロA(最大)
・Hi-ROM機能搭載	:	不正コピー防止の為のセキュリティ機能 Hi-ROM領域:128ワード
・Write Protect機能搭載 (MBM29LV065UEは除く)	:	WP#ピンによるセクタ(最初の32KWx1個)をハードウェア的にプロテクト 29LV650UE:Top Sector(Sector 127)をハードウェア・プロテクト 29LV651UE:Bottom Sector(Sector 0)をハードウェア・プロテクト
・アクセラレーション 機能搭載	:	ACCピンから高電圧印可により書き込み時間の短縮が可能
・Vccq機能搭載	:	Vccqピンに5V印可可能
・パッケージ	:	標準型48ピン・プラスチックTSOP 56ピン・プラスチックSSOP CSP(順次対応)

以上