[ PRESS RELEASE ] |
![]() 1998-0202 平成10年10月19日 富士通株式会社 |
当社はこのほど、業界で初めてフラッシュメモリ内部でプログラム格納部分とメモリ部分の容量を異なったサイズで設定した、大容量32/16Mビット デュアル・オペレーション(データの読み出し/書き込みを同時に実行可能)フラッシュメモリを開発し、米国アドバンスト・マイクロ・デバイス(AMD)社と共同で開発・製品化し、10月19日から販売を開始いたします。
当社では、デュアル・オペレーション フラッシュメモリについては、すでに4M/8Mビット品をご提供しておりますが、読み出し/書き込みを同時に実行できるため、特に携帯電話やPDAなどの携帯情報機器を中心に需要が拡大しています。
今回、32/16Mビットの大容量で、携帯情報機器の様々なシステムに柔軟に対応できるよう、業界で初めて「スライディング・バンク・アーキテクチャ」という、フラッシュメモリ内部でプログラム格納部分とメモリ部分のバンクをそれぞれ異なったサイズで設定する方式を採用したフラッシュメモリ各4品種をご提供いたします。
これにより、お客様の用途に応じたバンクサイズの製品をお選びいただけます。
また、今回新たに追加したワンタイム・プロテクト(OTP)機能により、システム・プログラムを格納しているブートブロック部を保護して大量不正コピーを防止し、さらに外部から高電圧をかけるとアクセラレータ機能が動作して書き込み時間を短縮できます。
本製品とデータの書き込み/消去タイミングの管理をおこなうソフトウェア「SoFFS」を組み合わせることにより、フラッシュメモリを用いたシステムの多機能化に大きく貢献いたします。
【サンプル価格】
【出荷時期】 | サンプル 量 産 |
: : |
平成10年10月から 平成11年1月から |
【販売目標】 | あわせて200万個/月 |
【主な仕様】
バンク1: バンク2: |
[MBM29DL321TD/BD] 0.5Mビット 31.5Mビット |
[MBM29DL161TD/BD] 0.5Mビット 15.5Mビット |
バンク1: バンク2: |
[MBM29DL322TD/BD] 4Mビット 28Mビット |
[MBM29DL162TD/BD] 2Mビット 14Mビット |
バンク1: バンク2: |
[MBM29DL323TD/BD] 8Mビット 24Mビット |
[MBM29DL163TD/BD] 4Mビット 12Mビット |
バンク1: バンク2: |
[MBM29DL324TD/BD] 16Mビット 16Mビット |
[MBM29DL164TD/BD] 8Mビット 8Mビット |
アドレス CE~ CE~ |
: : : |
90ナノ秒(最大) 90ナノ秒(最大) 35ナノ秒(最大) |
スタンバイ電流 | : | 1マイクロアンペア(標準) |
読出し動作 | : | 10ミリアンペア(最大)-ワード・モード、f=5MHz時 10ミリアンペア(最大)-バイト・モード、f=5MHz時 |
書込み/消去動作 | : | 30ミリアンペア(最大) |
ブートブロックがトップアドレスに配置 | : | MBM29DL321TD/322TD/323TD/324TD MBM29DL161TD/162TD/163TD/164TD |
ブートブロックがボトムアドレスに配置 | : | *MBM29DL321BD/322BD/323BD/324BD MBM29DL161BD/162BD/163BD/164BD |
以 上