1998-12-3 株式会社 東芝 富士通株式会社

株式会社東芝(以下東芝)と富士通株式会社(以下富士通)の2社は、半導体メモリ事業における包括的な提携関係を築くことで合意しました。その一環として、次世代の超LSIをターゲットとした、0.13マイクロメートルDRAM技術について共同開発契約を締結しました。

今回の契約に基づき、両社は、東芝のアドバンスト・マイクロエレクトロニクス・センター(横浜市磯子区)に研究者を集結し、同センターの最先端の半導体開発設備を用いて、高集積素子の製造に必要な0.13マイクロメートルのプロセス技術、デバイス技術の開発および1ギガビットDRAM(1GDRAM)世代の製品設計・試作を共同で行います。

アドバンスト・マイクロエレクトロニクス・センターでは、ピーク時に両社から合計で約100人規模の研究者が集結し、総開発費300億円以上を投入して、共同開発を進めていく計画です。

メモリ事業を取り巻く市場環境は、競争の激化による価格の著しい下落など厳しさを増してきており、今後の事業展開においては、製品のコスト競争力がますます重要になってきます。このような背景のもと、1GDRAM世代の製品で不可欠となる0.13マイクロメートルプロセス・デバイス技術の実現には、多くの技術的なブレークスルーが必要です。東芝と富士通は、今回の提携により、両社の持つ高い技術力を結集し、開発スピードを加速させ、より早期の開発成果を目指していきます。また、最先端の半導体技術を開発するためには、膨大な開発費と人的リソースを必要としますが、両社がこれらを分担することによって、より効率的な開発を行うことができます。

さらに、DRAMの開発においてコア技術となるプロセス技術は、半導体技術の進歩の先導役として位置づけられ、半導体メモリ分野だけでなく、マイクロプロセッサをはじめとする他の先進的なコンピュータ部品にも適用されるため、さまざまな分野に波及効果があります。
今回の合意は、半導体メモリやコンピュータを構成するその他の最先端LSIの開発を加速するとともに、産業基盤の発展に貢献できるものと確信しています。