[ PRESS RELEASE ]

1998-0257 平成10年12月14日 富士通株式会社

当社はこのほど、0.33ミクロンプロセスを採用した1.8V単一電源高速大容量16Mビット・フラッシュメモリ「MBM29SL160TD/BD」を、米国アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)社と共同で開発し、12月14日からサンプルの受注を開始いたします。

現在、フラッシュ・メモリの電源電圧は、パソコンやプリンタなどの据え置き型製品では5Vが主流ですが、携帯電話やPDAなどの携帯情報機器では低電圧化が進んでいます。
これら携帯機器の小型/省電力/高速/大容量化に伴なって、使われるフラッシュ・メモリにも同様なことが求められています。

当社では、このようなご要望にお応えするため、8Mビット品に続いて今回新たに1.8V単一電源16Mビットフラッシュメモリ「MBM29SL160TD/BD」を開発いたしました。
本製品では、新たに機器の大量不正コピーを防ぐためのセキュリティ(Hiddon ROM)機能と、メモリ内部のある領域を保護するライトプロテクト(WP#)機能を追加しております。
また、外部から高い電圧をかけることにより、アクセラレータ機能が動作して、書き込み時間を短縮できます。
さらに、従来のセクタ構成(16KB+8KB+8KB+32KB)から8KBx8個に変更することで、データ変更の際、一旦元のデータを空いている領域に移動させて書き換えることができるため、チップをシステムに組み込んだ後のプログラム書き換えが容易です。
本製品は、低電圧動作と低消費電流により、携帯電話や携帯情報端末などのバッテリ駆動時間の延長に貢献できます。

【サンプル価格】	2,000円
【出荷時期】	サンプル : 平成10年12月から(TSOP) 量産 : 平成11年2月から(TSOP) FBGAパッケージは、順次出荷
【販売目標】	100万個/月

【主な仕様】

・プロセス技術	:	0.33ミクロンCMOSプロセス
・メモリセル	:	二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル
・出力構成	:	1M ワード×16ビット/2M バイト× 8ビット
・セクタ構成	:	4K ワード×8,32K ワード×31 (ワード・モード時) 8K バイト×8,64K バイト×31 (バイト・モード時)
・最小1.8Vでの読み出し/書込み/消去動作
・電気的セクタ消去 自動消去機能搭載 複数セクタ同時消去機能搭載 書込み/消去の禁止・許可機能搭載 消去一時停止/消去再開機能搭載 消去一時停止中の書込み/読み出し機能搭載 セクタ消去時間 : 1.5秒(標準)
・WP#/ACC機能 WP#:バンク1の2セクタ分(最初の8KB×2)をハードウェア的にプロテクト ACC機能:外部から高電圧をかけると書き込み時間を短縮できる
・書込み,消去保護/一時的解除機能 グループ単位でのセクタ保護可能 グループ単位でのセクタ時的解除可能
・書込み 自動書込み機能搭載 書込み時間 : 10.6マイクロ秒(標準・バイトモード) 14.6マイクロ秒(標準・ワードモード)
・消去/書込み回数	:	10万回(最小)
・高速読み出し アドレスアクス : 100ナノ秒/120ナノ秒(最大) CEアクセス : 100ナノ秒/120ナノ秒(最大) OEアクセス : 35ナノ秒/50ナノ秒(最大)
・自動スリープ機能	:	アドレス固定時間が 200ナノ秒以上で自動的に作動。
・低消費電流 リードモード動作時 : 10mA(最大)-バイトモード @5MHz 10mA(最大)- ワードモード @5MHz 自動スリープ機能 スタンバイ時(CMOS) : 5 マイクロA(最大)

以 上