1997-221
平成9年10月27日
富士通株式会社
| [ PRESS RELEASE ] |
1997-221 平成9年10月27日 富士通株式会社 |
当社はこのほど、二つのメモリを一つのパッケージに搭載できる、マルチ・チップ・パッケージ(MCP)製品「MB84VA2000シリーズ」8品種と、「MB84VB2000シリーズ」2品種を開発し、販売を開始いたします。
「MB84VA2000シリーズ」はフラッシュメモリとSRAMを、「MB84VB2000シリーズ」は複数のフラッシュメモリをMCP化した製品です。
近年、携帯機器市場の伸びに伴い、携帯電話などに使われるプログラム格納用のフラッシュメモリと、CPUの動作中にデータを一時格納するSRAMの需要が増大しています。
ほとんどのシステムには、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリとSRAMなどの揮発性メモリが使われていますが、機器内部の実装密度を高めるために、メモリの外形に対する小型化への要求はさらに強くなっております。
こうした要求にお応えして、当社は複数の素子を1パッケージに搭載できるマルチ・チップ・パッケージ(MCP)を開発いたしました。
「MB84VA2000シリーズ」は、フラッシュメモリ(8M/16M)とSRAM(1M/2M)をMCP化したものです。
CDMAやGSMなど、今後も需要の拡大が期待される携帯電話での用途に最適な組み合わせを選ぶことができます。
「MB84VB2000シリーズ」は、フラッシュメモリ(8M/16M)を2個搭載したものです。
どちらの素子も別々に動作することが可能で、例えば、一方をプログラムコード格納、もう一方をデータ格納の領域として使うことができるため、バッテリ駆動のシステムでは、より低電力化を図ることが可能です。
従来のTSOPなどで別々に実装する場合に比べて、実装面積の縮小や軽量化、さらにコストダウンを図ることができます。
【価 格】
【出荷時期】
MB84VA2000シリーズ
MB84VB2000シリーズ:
:3,850円から
4,000円
【販売目標】 50万個/月
MB84VA2000シリーズ
MB84VB2000シリーズサンプル:平成9年12月から順次, 量産:平成9年12月から順次
サンプル:平成9年11月から順次, 量産:平成9年12月から順次
【主な仕様】
●品種構成
- MB84VA2000/1
構成 8Mビット・ブートブロックタイプ・フラッシュメモリ(×8)
2MビットSRAM(×8)
- MB84VA2002/3
構成 8Mビットブートブロックタイプ・フラッシュメモリ(×16,×8)
2MビットSRAM(×8)
- MB84VA2004/5
構成 8Mビット・ブートブロックタイプ・フラッシュメモリ(×8)
1MビットSRAM(×8)
- MB84VA2102/3
構成 16Mビット・ブートブロックタイプ・フラッシュメモリ(×16/×8)
2MビットSRAM(×8)
- MB84VB2000/1
構成：8Mビット・ブートブロックタイプ・フラッシュメモリ(×16/×8)●フラッシュメモリ
- 8Mビットは MBM29LV800TA/BAを使用。
- 16MビットはMBM29LV160T/Bを使用。
- セクタ構成:8Kバイト×4、16Kバイト×2、32Kバイト×2、64Kバイト×14セクタ
- 消去/書き込み回数:10万回(最小)
●SRAM : 2.7V動作が可能な1Mビット/2MビットのSRAM
●2.7V〜3.6Vでの読み出し/書き込み・消去動作
●高速動作
アドレス アクセスタイム : 100ナノ秒 CEアクセスタイム : 100ナノ秒
●パッケージ
48ボール（6×8）ボール・グリッド・アレイ パッケージ
- 10mm×11mm （MB84VA2000/1/2/3/4/5)
- 10mm×14mm （MB84VA2102/3)
- 10mm×11mm （MB84VB2000/1)