[PRESS RELEASE]

No.1997-0037 平成9年2月24日 富士通株式会社

当社はこのほど、フラッシュメモリとしては世界で初めて2.2Vで動作する、8メガビットフラッシュメモリ「MBM29LL800」を、米国アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)社と共同で開発・製品化し、2月24日からサンプルの受注を開始いたします。

フラッシュメモリは、携帯電話やパソコンといった電子情報機器の他、最近ではデジタルスチールカメラ向けなどに需要が増加しております。
また、これらの携帯機器の省電力化に伴って、使用されるフラッシュメモリについても、低電圧/低消費電力が求められています。

当社では現在、市場の低電圧化に対応するため、5Vおよび3V単一電源品を商品化しておりますが、3V単一電源で動作可能な従来品「MBM29LVxxxシリーズ」で採用した低電圧動作の回路技術を改良することによって、このたび、0.5ミクロンのCMOS微細加工技術を用いた、2.2V単一電源動作が可能なフラッシュメモリ「MBM29LL800」を開発いたしました。
本製品を使用することにより、従来の3V単一電源品に比べて約70%の省電力化を図ることができ、携帯機器などの駆動時間延長に貢献します。また、3V単一電源のフラッシュメモリとパッケージやコマンドが同じなので、低電圧品への移行を容易に行うことができます。
本製品は、今後も需要の伸びが期待される携帯電話, デジタルスチールカメラ, 携帯端末などのバッテリで駆動する携帯機器でご利用いただけます。

なお、本製品は、当社と米国AMD社との合弁会社である富士通・エイ・エム・ディ・セ ミコンダクタ株式会社(FASL,本社: 福島県会津若松市, 社長: 柳田 公雄) で製造いたします。

【サンプル価格】	1,800円
【出荷時期】	サンプル : 平成9年3月から 量 産 : 平成9年5月から
【販売目標】	100万個/月

【『MBM29LL800』の主な仕様】

• 0.5ミクロンプロセス技術

• セル構造
  2層Poly/NOR

• チップサイズ
  5.0 × 10.12mm²

• アクセスタイム
  アドレス 150 ナノ秒
  CE 150 ナノ秒
  OE 50 ナノ秒

• 2.2V〜2.7Vの読み出し/書き込み/消去動作

• 低消費電力設計
  オートマチック・スリープモード搭載
  スタンバイ電流: 1マイクロA (Max.)

• ブートブロック・セクタアーキテクチャ
  ブートブロックがトップアドレスに配置 : MBM29LL800T
  ブートブロックがボトムアドレスに配置 : MBM29LL800B
  セクタサイズ:64K バイト×15, 32K バイト×1, 16Kバイト×1, 8K バイト×2

• パッケージ
  48ピン TSOP
  46ピン SON

• 消去/書き込み回数:100,000回(最小)

• 3V単一電源フラッシュメモリ「MBM29LV800」と互換
  コマンド互換
  パッケージ および 端子配列

以 上