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PRESS RELEASE

2008-0006
2008年1月21日
富士通株式会社

LSI事業の再編・強化について

当社は、LSI事業の強化についてかねてより慎重に検討してまいりましたが、2008年1月21日開催の当社取締役会において、2008年3月をめどとして、当社のLSI事業部門を分社する方針決定を行いました。これによりLSI業界ならではのスピーディーかつ柔軟な事業展開をこれまで以上に推し進め、ASIC(注1)事業に加えASSP(注2)事業への注力をさらに加速・発展させてまいります。

あわせて、同取締役会において、90ナノメートル(以下、nm)世代以降の先端プロセス技術の開発および量産試作を三重工場に一本化することを決定しました。これにより45nm世代以降のプロセス技術開発のさらなるスピードアップを図ります。


  1. LSI事業の分社の方針決定について
    1. 目的

      当社のLSI事業は、演算や制御を行なうロジックLSI事業を中核に展開しております。ロジックLSIは、65nm世代までを広範にカバーしながら、社内外のパートナーと戦略的に連携し設計開発から製造、販売まで一貫してお客様への提供を行なうNew IDM(注3)モデルを展開しています。商品としては、カスタム品であるASICやCOT(注4)、および汎用品であるASSPやマイコン、システム電源などのアナログ製品を国内外に提供しています。社内の他部門との連携では、サーバや携帯電話などのプロダクトに高付加価値を持つLSIを提供し当社製品の競争力強化に貢献するだけでなく、WiMAXなどの無線およびH.264などの画像処理といった各種のIP(設計資産)開発において社内シナジーにより先行開発・先行検証を実現することにより早期の市場投入に成功してきました。

      当社はLSI事業のコアコンピタンスを、先端プロセス技術、競争力のある豊富なIP、システムLSIの一発完動(注5)を実現する設計技術および豊富なお客様基盤と位置づけています。このコアコンピタンスをもとに従来のASIC事業に加えASSP事業に注力した結果、設計開発力、ソフトウェア開発力を強みとする事業基盤を確立しています。こうした事業展開をさらに加速するため、LSI事業部門の分社の方針決定を行うにいたりました。これにより、LSI業界ならではのスピーディーかつ柔軟な事業展開をこれまで以上に推し進めることが可能となります。

    2. スケジュール

      分社については、2008年3月をめどとして検討しております。分社後の新会社の詳細については、今後の検討を経て、決定し次第お知らせする予定です。

  2. 90nm世代以降の先端プロセス技術開発の三重工場への一本化について
    1. 内容および決定理由:

      当社のLSI事業では、富士通グループのLSI開発部門、設計部門を結集した先端LSIテクノロジーの開発拠点であるあきる野テクノロジセンター(所在地:東京都あきる野市)において、90nm世代以降の最先端LSIの基礎技術開発から製品企画、設計、量産試作までを一貫して行なっています。

      生産については、0.13マイクロメートル世代以前の基盤ロジックLSIの生産を会津若松工場(所在地:福島県会津若松市)、岩手工場(所在地:岩手県胆沢郡金ヶ崎町)、三重工場(所在地:三重県桑名市)の150mmライン、200mmラインで、90nm世代以降の先端ロジックLSIの生産を三重工場の300mmラインで行なっています。

      今般、LSI事業の構造改革の一環として、これまで、あきる野テクノロジセンターで行なってきた90nm世代以降の先端プロセス技術開発および90nm世代ロジックLSIの量産試作を三重工場に移管します。

      あきる野テクノロジセンターは、富士通グループのLSI開発部門、設計部門を結集した先端LSIテクノロジーの開発拠点として2000年7月に設立し、2001年12月より開発向けの200mmラインにて開発試作を開始しました。あきる野テクノロジセンターで開発された90nm世代プロセス技術によるロジックLSIは、ウルトラローパワー、ウルトラハイエンドにより市場で成功をおさめ、この特長は今後の先端プロセス技術開発にも継承されます。あきる野テクノロジセンターでの90nm世代、65nm世代のプロセス技術の開発は完了し、現在、三重工場の300mmラインで量産中です。

      45nm世代プロセス技術の開発は300mmラインの使用が最適であり、200mmラインを使用したデバイス開発センターとしてのあきる野テクノロジセンターから三重工場に移管し、45nm世代以降のプロセス技術開発のさらなるスピードアップと量産適合性を確保してまいります。

      三重工場への製造設備の移管は2008年3月をめどに開始する予定です。また、45nm世代のプロセス技術開発は三重工場へ移管中であり、2008年度上期をめどとして移管を完了する予定です。

    2. 今後の見通しについて

      あきる野テクノロジセンターは今後も活用する予定です。また、三重工場への設備移管などに関して発生する費用については、約100億円と見込んでおりますが、詳細については現在精査中です。当期業績の見通しについても精査中であり、第3四半期の決算発表時に開示する予定です。


商標について

記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

以上

注釈

  注1 ASIC:
Application Specific IC。特定用途(顧客)向けの専用IC。
  注2 ASSP:
Application Specific Standard Product。特定用途(例:画像処理、ネットワーク処理)の処理を行なう汎用商品。
  注3 IDM:
Integrated Device Manufacturer。垂直統合型デバイスメーカー。
  注4 COT:
Customer Owned Tooling。ユーザーが設計、開発したLSIを製造すること。単なる製造受託だけでなく、設計段階からお客様と共同開発も行なう。
  注5 一発完動:
最初の試作チップでLSIを正常に動かすこと。

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本件に関するお問い合わせ

電子デバイス事業本部 戦略企画室
電話: 03-5322-3349
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