次世代FRAM技術の共同開発の成果について

セイコーエプソン株式会社（代表取締役社長：花岡清二、本社：長野県諏訪市以下、エプソン）と富士通株式会社（代表取締役社長：黒川博昭、本社：東京都港区以下、富士通）は、2005年6月の提携発表以来、不揮発性メモリ^(注1)であるFRAM^(注2)の次世代技術の共同開発を進めてきました。このほど期待通りの成果をもって、共同開発を終了いたしました。

両社は、今回の共同開発を通じ、新たな強誘電体（PZT）^(注3)膜の形成、加工、並びに評価技術を確立したことで、高集積（従来の4倍）、高性能（従来の3倍以上の書き換え速度）且つ高信頼（100兆回以上の書き換え回数）のFRAMメモリコアのプロセス技術を実現しました。現在セキュアなメモリとして最先端技術を持つことで注目されているFRAMにおいて、これらの性能の実現は、世界初となります。既存のCMOSロジック工程に強誘電体工程の追加で対応できるため、今後の量産技術の開発にも適した構造です。

エプソンは、本開発成果を自社低消費電力CMOS技術と組み合わせることにより、電池駆動・携帯機器等に対応できる混載LSIの開発・製品化活動をさらに加速させて参ります。

富士通は、本開発成果をもとに量産技術の開発を進め、低消費電力で高速読み書きなどFRAMの優位性が活かせるセキュリティ市場に加え、FRAM内蔵マイコンによる新たな市場を創造し、お客様の多様なニーズに応えて参ります。

以上

注釈

注1 不揮発性メモリ:: 電源を切っても内容を保持するメモリ。
注2 FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）:: 強誘電体膜をデータ保持用のキャパシタに利用した不揮発性メモリ。
注3 PZT(PbZrTiO):: チタン酸ジルコン酸鉛。この分極現象によりデータの記憶保持を行うことができる。

本件に関するお問い合わせ

富士通株式会社

電子デバイス事業本部基盤商品マーケティング統括部新規商品マーケティング部
電話: 03-5322-3383（直通）
E-mail: edevice@fujitsu.com

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