富士通の先端65nm LSIプロセスでモシス社の「1T-SRAM^®」を採用

～低消費電力、高速、高集積メモリ技術を画像処理LSIに適用～

モシスインク（本社：カリフォルニア州サニーベール市、CEO：チェット・シルベストリ、以下モシス社）と富士通株式会社（本社：東京都港区、代表取締役社長：黒川博昭、以下富士通）は、モシス社が特許を持つ組み込みメモリ技術である「1T-SRAM^®（ワンティーエスラム）」^(注1)を、富士通の65ナノメートル(以下、nm)LSI製造プロセスでライセンスする契約を締結しました。

両社はすでに130nmおよび90nmプロセスにおいて同様の提携を行っています。今回「1T-SRAM」の中でも集積度の高い「1T-SRAM-Q^®（ワンティーエスラムキュー）」を富士通の65nmプロセスに適用することにより、より小さいチップ面積で、高速、低消費電力の製品を実現することができます。「1T-SRAM-Q」は、特に大量のメモリへの高速アクセスが必要な画像処理用LSIに適しています。

各社のコメント

佐藤公昭 (富士通電子デバイス事業本部 FCRAM事業部長)
「モシス社と提携することで、富士通の最先端の65nmプロセスでも同社の優れた「1T-SRAM-Q」技術を使えるようになりました。同技術に関して富士通がこれまで蓄積したノウハウを使い、この技術の利点を最大限に生かします。低消費電力で高速な大容量メモリ技術によって、お客様の将来の製品における高い要求にもお応えしていきます。」
チェット・シルベストリ(Chet Silvestri) (モシス社 CEO)
「今回の富士通との提携は、当社の特許技術が最先端の製造プロセスで実証される重要なマイルストーンです。65nmプロセスにおいて「1T-SRAM-Q」技術を採用することで、富士通は130nmおよび90nmで培った経験に基づいて、同社のお客様向けに最適なソリューションを提供することができ、将来的には65nm以降のプロセスにもつながることでしょう。」

富士通の65nmへの取組み

現在、富士通は最先端の65nmプロセスに対応した三重工場300mm第2棟を建設中であり、これまで以上にワールドワイドのパートナーと提携を進めていきます。今後、高速、低消費電力といった富士通の65nmプロセスの特長を洗練させるとともに、先進の設計手法の開発も更に充実させ、お客様にご提供していきます。

モシス社について

モシス社は1991年の創立以来、革新的なメモリ技術を開発しライセンス供与・販売を行っています。モシス社が特許を持つ「1T-SRAM」技術群は、他では達成できない、高集積・低消費電力・高速・低コストのすべてを実現します。従来のSRAMが4または6トランジスタでビットセルを構成するのに対し、「1T-SRAM」は1トランジスタのセルを採用しているため、高い集積度を実現できます。

「1T-SRAM」は従来のSRAMと同様のインターフェースを持つのに加え、消費電力は従来のSRAMの約4分の1で、システムLSI組み込み用の大容量メモリとして理想的です。「1T-SRAM」による組み込みメモリはすでに1億個以上出荷実績があります。

(NASDAQ：MOSY)

商標について

「1T-SRAM^®」、「1T-SRAM-Q^®」は米国特許商標庁に登録されたモシス社の商標です。
その他の製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

以上

注釈

注1 1T-SRAM^®:: モシス社が特許を持つ、高集積・低消費電力・高速・低コストの組み込みメモリ技術群。富士通は、その中でより集積度の高い「1T-SRAM-Q^®」というメモリを採用する。

本件に関するお問い合わせ

モシスインク日本支社

マーケティング冨士元
電話: 045-470-7202（直通）
E-mail: mfujimoto@mosys.com

富士通株式会社

電子デバイス事業本部サービスマーケティング統括部 ASICマーケティング部
電話: 03-5322-3328（直通）
E-mail: edevice@fujitsu.com

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