| [ PRESS RELEASE ] |
2005年6月15日
富士通株式会社
セイコーエプソン株式会社 |
不揮発性メモリ（FRAM）次世代技術の共同開発について
富士通株式会社（代表取締役社長：黒川 博昭、本社：東京都港区）とセイコーエプソン株式会社（代表取締役社長：花岡 清二、本社：長野県諏訪市）はこのほど、不揮発性メモリ（注1）であるFRAM（注2）の次世代技術の共同開発をすることで合意しました。
今回の合意に基づき、両社は2006年上半期完了を目指し、高集積化（従来のセル面積の6分の1）された次世代のFRAMの開発に取り組みます。あわせて、書き換え回数の制約が極めて少ないメモリコアのプロセス技術の確立を目指します。
近年、携帯情報機器、情報家電の高機能化に伴い、フラッシュメモリ（注3）、EEPROM（注4）と比べて、低消費電力での高速読み書きなどで優位性がある不揮発性メモリ、FRAMへの要求が急速に拡大しています。FRAMは、ROMとしての機能だけでなく不揮発性のRAMとしての特長をも兼ね備える「究極のメモリ」として、システムLSIにおける最適なメモリソリューションを提供し、市場の多様なニーズに応えることができます。
今回の共同開発では、両社が保有するFRAM材料、微細化プロセスなどの要素技術を融合させることにより、開発期間の短縮を図っていきます。
【商標について】
- FRAMは米国Ramtron International Corporation社の登録商標です。
- その他の製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
以上
注釈
- （注1）不揮発性メモリ：
- 電源を切っても内容を保持するメモリ。
- （注2）FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）：
- 強誘電体膜をデータ保持用のキャパシタに利用した不揮発性メモリ。データの高速な読み出しや書き込み動作、低消費電力、10億回以上の書き換え可能回数、といった長所を併せ持つ。
- （注3）フラッシュメモリ：
- ブロック（セクター）単位で電気的に消去、書き込みが可能な不揮発性メモリ。書き換え可能回数は10万回程度。
- （注4）EEPROM（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）：
- 電気的に消去、書き込みが可能な不揮発性メモリ。集積度が低い。
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