| [ PRESS RELEASE ]（電子デバイス） |
2004-0199
2004年10月25日
富士通株式会社 |
世界最大容量！1メガビットFRAMを新発売
近年、携帯情報機器、情報家電などの高機能化に伴い、パラメーターの格納、機器の動作状況の記録、セキュリティ情報の格納などの用途で、書き換え可能な回数が多く、低消費電力でデータの高速読み出し・高速書き込みが可能な不揮発性メモリの需要が高まっています。
このような状況を踏まえ、最新の0.35マイクロメートル1T1C（注3）セル技術を用い、FRAM製品において最大容量となる1メガビットFRAM 「MB85R1001」と「MB85R1002」を開発し、その量産体制を確立しました。
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MB85R1002 |
当社は、1999年にFRAMを搭載したFRAM混載システムLSIの販売を開始しました。その後、不揮発性メモリ市場の要求に応えるために、特定用途向けメモリとして256キロビットの単体メモリを製品化しました。すでに、FRAM混載システムLSIとFRAM単体メモリを合わせ、世界市場で圧倒的となる1億6千万個以上の販売実績を達成しています。
本製品は、こうした実績を踏まえ、FRAM製品の品ぞろえを拡充し、RAM（注4）とROM（注5）の区別が不要となることによるお客様開発の負荷軽減の実現をはじめ、バッテリーレスによる製造工程の簡略化や部材の削減、保守作業の簡略化、部材排出の削減による環境への対応などに貢献する次世代メモリを提供するためのものです。
【販売価格、および出荷時期】
| 製品名 |
販売価格（税込） |
出荷時期 |
MB85R1001
MB85R1002
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2000円(サンプル) |
10月25日より |
【販売目標】
2005年度末までに売上20億円 （当社の決算期は3月末日です。）
【本製品の特長】
世界最大容量！ 1メガビットFRAM
本製品は、世界で初めて量産・販売されるメガビット級のFRAMです。FRAMは、RAMとROMの長所を兼ね備えた次世代メモリの一つであり、EEPROM（注6）と比較して書き込み速度が10,000倍以上速く、数十分の一の電力で書き込みを行い、10万倍以上の書き換え可能回数を実現するFRAMの大容量化により、更なる機器性能の向上を実現します。世界で初めてメガビット級FRAMを量産・販売できるのは、FRAMの開発・製造において、世界をリードしてきた実績によるものです。
1T1Cセル技術の採用で大容量化を実現
従来の2T2Cセル技術から1T1Cセル技術を採用することにより約2倍の集積度を可能にし、メモリの大容量化を実現しました。今回開発した単体メモリの1T1C技術は、混載LSIで培った技術を発展させたものです。
【主な仕様】
| MB85R1001 | MB85R1002 |
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| ビット構成 | 128キロワード×8ビット | 64キロワード×16ビット |
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| 電源電圧 | 3.0V〜3.6V |
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| 動作保証温度範囲 | -20℃〜+85℃ |
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| リードアクセスタイム | 100ナノ秒 |
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リードサイクルタイム
ライトサイクルタイム
| 250ナノ秒 |
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| データ保持能力 | 10年以上 |
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| データ書き換え耐性 | 100億回以上 |
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| パッケージ | TSOP48、TSOP32 (予定) | TSOP48、FBGA48 |
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| 搭載機能 | - | /LB、/UB切替機能 |
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| パワーオンプロテクト機能 |
【商標について】
- FRAMは米国ラムトロン・インターナショナル社の登録商標です。
- その他記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
以上
注釈
- （注1）不揮発性メモリ：
- 電源を切っても内容を保持するメモリ。
- （注2）FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）：
- 強誘電体膜をデータ保持用のキャパシタに利用した不揮発性メモリ。データの高速な読み出しや書き込み動作、低消費電力、膨大な書き換え可能回数、といったROMとRAMの長所を併せ持つ。
- （注3）1T1C（1 Transistor 1 Capacitor）：
- 1つのセルにつき1つのトランジスタと1つのキャパシタから構成されるセル構造。従来の2T2C（2 Transistor 2 Capacitor）セルと比較して、およそ2倍の集積度が実現可能。
- （注4）RAM（Random Access Memory）：
- 任意のアドレスを指定して読み書きすることが可能な半導体メモリ。代表的なRAMには揮発性のDRAMとSRAMなどがある。
- （注5）ROM（Read Only Memory）：
- 読み出し専用の半導体メモリ。電源を切ってもデータが消えない不揮発性の記憶デバイス。MASK ROM、EPROM、EEPROM、Flashメモリなどがある。
- （注6）EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）：
- 電気的に消去、読み書き可能なROMで、不揮発性メモリの一つ。
関連リンク
プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容、お問い合わせ先などは、発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。あらかじめご了承ください。ご不明な場合は、富士通お客様総合センターにお問い合わせください。
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