| [ PRESS RELEASE ]（電子デバイス） |
2004-0143
2004年7月27日
富士通株式会社 |
フラッシュメモリ内蔵、3次元方向の変化に対応した
MEMS用センスアンプIC新発売
近年、エアバックやエンジン制御を含め、車載機器、モバイル機器、ロボット、ゲーム、一般工業機器などさまざまな分野で加速度や圧力を計測する変位センサーが用いられるようになってきました。これらのセンサーには、最小感度の向上、小型化、高精度化がよりいっそう求められており、これらの要望を満たすMEMSを用いたセンサーへの移行が進みつつあります。しかし、MEMSが受ける加速や圧力の変化は非常に小さいため、センスアンプICには正確な信号検出と高い増幅率が要求されます。またMEMSは、製造ばらつきや構造体の温度変化により出力誤差が生じることがあるため、ゼロ点温度変動(注4)を補正することが強く求められています。
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MB42M101 |
当社は、低ノイズで高い増幅率のセンスアンプにフラッシュメモリと温度センサーを集積し、センスアンプの増幅率とオフセット(注5)の自動補正可能なMEMS用センスアンプIC「MB42M101」を開発しました。本製品は、微小な電圧差を検出・増幅・補正して出力する3つの独立したセンスアンプを内蔵し、X軸、Y軸、Z軸の3方向の動きに対する誤差を独立して調整することが可能です。また、MEMSセンサー出力のゼロ点温度変動を補正する機能を搭載しているため、小型変位センサーの性能向上が可能です。これらにより、MEMSモジュールの歩留り改善が可能となるとともに、部品点数の削減によるお客様システムの低コスト化や生産期間の短縮に貢献します。
なお、当社は、より精度の高い静電容量型MEMSセンサーに対応したセンスアンプICの開発にも着手しており、本製品に加え、順次、MEMS対応製品のラインナップを拡充していく予定です。
【本製品の特長】
3次元の変化にワンチップで対応
MEMSの微小な電圧差を検出・増幅・補正して出力するセンスアンプ3回路が、本チップに独立して内蔵されているため、X軸、Y軸、Z軸の3方向の動きに対する誤差をそれぞれ独立して調整することが可能です。部品点数の削減により、高性能センサーモジュールの開発を低コスト化することが可能となります。
フラッシュメモリを内蔵
ユーザーの書き込み領域を含め、1280ビット（以下、bit）のフラッシュメモリを内蔵しています。フラッシュメモリに蓄積したデータを用い、例えば、設定温度10℃ごとに自動的に感度補正を行うなど、きめ細かなセンサー利用が可能となります。なお、本フラッシュメモリには単層ポリシリコンフラッシュメモリ(注6)を採用しており、低電流動作を実現しています。
ヒステリシス (注7)機能付き温度センサー回路を内蔵
温度の上昇時と下降時で温度補正をする切り替え温度を2℃ずらして設定しているため、検出温度付近での安定した動作が可能です。また、温度情報を電圧として出力することも可能です。
【販売価格、および出荷時期】
| 製品名 |
販売価格（税別） |
サンプル出荷時期 |
| 「MB42M101」 |
400円 |
2004年7月28日 |
【販売目標】
【主な仕様】
| プロセステクノロジ | CMOS 0.50マイクロメートル |
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| 電源電圧 | 3.0 V〜5.5V（標準5.0V） |
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| センスアンプゲイン調整 | 240〜2860倍（センスアンプ：2段構成） |
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| センスアンプオフセット調整 | 初段：2.0〜3.2V（7bit）、次段：2.19〜2.79V（4bit） |
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| ゼロ点出力電圧（標準） | 電源電圧の2分の1 |
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| アンプ動作帯域 | DC〜10キロヘルツ |
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| アンプ静止ノイズ | 10mV（ピークトゥピーク値）(ゲイン1008倍設定、帯域DC〜700ヘルツ時) |
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| 動作温度範囲 | -40℃〜85℃ |
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| 温度補正におけるレンジ幅 | 約10℃ (12ステップ)ヒステリシス機能あり(約2℃) |
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| センサー駆動定電流選択範囲 | 35〜520マイクロアンペア |
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| 出荷形態 | プラスチックBCC-32ピン |
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【商標について】
記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
以上
注釈
- （注1）MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）：
- 電気回路と微細な機械的構造を
一体化したシステム。マイクロマシンとも言われる。
- （注2）センスアンプ：
- 非常に微弱な信号を増幅する回路。
- （注3）富士通ヴィエルエスアイ株式会社：
- 本社、愛知県春日井市。社長、高橋 仁。
- （注4）ゼロ点温度変動：
- 周囲温度変化による加速度ゼロ時の出力電圧変動。
- （注5）オフセット：
- 入力信号がゼロボルトでも出力にわずかな電圧や電流が検出されるその差分。
- （注6）単層ポリシリコンフラッシュメモリ：
- 電荷を蓄積するフローティングゲートを横方向構造に展開したもの。2層ポリシリコンフラッシュメモリはフローティングゲートとゲートを縦方向に構成。本技術により製造工程短縮や製造マージンを上げることが可能。小容量メモリ向き。
- （注7）ヒステリシス：
- 入力信号増減に対する出力変化点が異なること。
関連リンク
プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容、お問い合わせ先などは、発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。あらかじめご了承ください。ご不明な場合は、富士通お客様総合センターにお問い合わせください。
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http://edevice.fujitsu.com/fvd/
MB42M101 (JPEG: 40KB)
MB42M101 チップ写真 (JPEG: 245KB)
