| [ PRESS RELEASE ]（製品・サービス） |
2003-0154
2003年8月21日
富士通株式会社 |
大容量・高速処理を両立した擬似SRAM
128メガビット バーストモード搭載モバイルFCRAM®を新発売
本製品は、メモリサイズが128メガビットのため、携帯機器用のメモリに対する大容量化の要求に対応できます。また、データの連続高速読み出し・書き込みを実現する、クロックアクセスタイム(*4)12ナノ秒（以下、ns）(*5)のバーストモード機能を搭載しています。
このように、本製品は大容量と高速処理を両立しているため、動画の再生・配信などのマルチメディア機能を搭載した第三世代携帯端末の、高度なアプリケーションの実現に最適です。
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MB82DBR08163 |
本製品は、FBGAパッケージ（71ピン）での提供に加え、お客様先での実装用途向けに、チップまたはウェーハの形態でも提供します。
今後のモバイルFCRAMの展開としては、バーストモードの動作周波数80メガヘルツ（以下、MHz）、および100MHzへの高速化、1.8V単一電源の製品拡充を計画しています。
【サンプル販売価格および出荷時期】
| 製品名 |
販売価格（税別） |
出荷時期 |
| 「MB82DBR08163」 |
2,000円 |
2003年9月1日より |
【販売目標】
30万個/月
【本製品の特長】
- 大容量のメモリサイズ
- メモリサイズが128メガビットのため、携帯機器用のメモリに対する大容量化の要求に対応できます。
- 高速アクセスタイムを実現
- バーストモードによる連続読み出し、および連続書き込み動作が可能です。
- バーストモード時のクロックアクセスタイムは12nsです。（66MHz動作時）
- 外部クロックに非同期の、ページモードでの読み出し動作が可能です。ページアクセスタイム(*6)は最大で20nsです。
- 低消費電力
- 最大で200マイクロアンペア（以下、
 A）のスタンバイ電流を実現しています。
- パワーダウン機能（スリープモード、パーシャル・パワーダウンモード）を使用することで、大幅なスタンバイ電流の削減が可能です。
【本製品の主な仕様】
| メモリ容量 |
128メガビット |
| I/O構成 |
x16 |
| 動作電源電圧 |
2.7 〜 3.1V |
| 入出力電源電圧 |
1.65 〜 1.95V |
| バースト動作周波数（リードレイテンシ：5） |
66MHz |
| ランダムアクセスタイム（最大） |
70ns |
| クロックアクセスタイム（最大） |
12ns |
| ページアクセスタイム（最大） |
20ns |
| アクティブ電流（最大） |
35ミリA |
| スタンバイ電流（最大） |
200A |
| パワーダウン電流（最大） |
10A |
| パッケージ |
標準・FBGA 71ピン |
【商標について】
- 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
以上
用語説明
- (*1)
- Common Specifications for Mobile RAM（略称COSMORAM）：2003年2月17日に株式会社東芝、NECエレクトロニクス株式会社、富士通株式会社の3社で共同発表したバースト機能搭載 擬似SRAMの3社共通仕様です。
- (*2)
- バーストモード（Burst Mode）：システムクロックに同期した連続高速読み出し・書き込み可能な動作モードです。必要なデータの最初のアドレスを指定するだけで、そこから連続した一定のアドレスのデータを高速に読み出せる機能です。
- (*3)
- FCRAM（Fast Cycle Random Access Memory）：当社独自開発の高速・低消費電力型の次世代メモリコアです。モバイルFCRAMは、FCRAMコアにSRAMインタフェースを搭載した擬似SRAMです。
- (*4)
- クロックアクセスタイム：バーストモードの読み出し時に、外部からのクロック信号を入力してからデータが出力されるまでの時間です。
- (*5)
- 12ナノ秒：66MHz動作時のクロックアクセスタイムです。
- (*6)
- ページアクセスタイム：ページモードの読み出し時に、連続したデータが出力されるまでの時間です。
関連リンク
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