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[ PRESS RELEASE ](製品・サービス)
2003-0064
2003年4月10日
富士通株式会社
1.8V単一電源

128メガビット バーストモード搭載フラッシュメモリ、および
スーパーCSP採用8メガビット フラッシュメモリを新発売

当社は、1.8Vの低電圧電源で動作する、携帯機器向けNOR型(*1)128メガビット バーストモード(*2)搭載フラッシュメモリ「MBM29BS12DH」および、ブルートゥース(Bluetooth)などの無線通信モジュールや超小型携帯機器向けスーパーCSP(Super-CSPTM)を採用したNOR型8メガビット フラッシュメモリ「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」を開発し、4月10日より販売開始します。

【販売価格および出荷時期】

製品名 販売価格(税別) 出荷時期(サンプル)
「MBM29BS12DH」 4,000円 2003年4月10日
「MBM29SL800TE」 400円 2003年4月10日
「MBM29SL800BE」 400円 2003年4月10日

【販売目標】

「MBM29BS12DH」100万個/月
「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」10万個/月(2品種合計)

【「MBM29BS12DH」の主な特長】

  1. 高速読み出し動作を実現
  • 電源投入後のアドレス固定からデータの出力までの初期立上げ時間(イニシャル タイム)は、最速で46ナノ秒です。(80MHz動作・ハンドシェイクモード(*3)時)
  • バーストモード時のアクセスタイムは、8.5ナノ秒です。(80MHz動作時)
  • コンフィグレーションレジスタの設定により、システムに最適なバーストモードを 選択可能です。
  1. 低消費電力
  • バーストアクセス読出しを実現するために、2ワード分のセンスアンプ数におさえることで、消費電力を他社に比べて低くすることができました。
  • スタンバイ状態では他社同等品と比較し約1/20の低消費電力を達成しました。

【「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」の主な特長】

  1. 超小型パッケージSuper-CSPTM に搭載
  • Super-CSPTMを採用したことにより省スペース化が可能です。チップ単体に比べ、取り扱いが容易なため、二次実装信頼性が向上しました。
  1. 高速アクセスタイムを実現
  • 動作電圧1.8Vでアクセスタイム90ナノ秒の高速動作を実現しました。

【開発の背景】

近年、携帯電話などの携帯機器は機器の高速化・高機能化が著しく進んでおり、搭載されるフラッシュメモリに対しても大容量化、低消費電力化、高速動作が求められてきています。さらに、この携帯機器とパソコンや家電製品とのデータのやり取りには、Bluetoothに代表される無線通信技術が広く使用されてきています。

当社は、携帯電話市場におけるフラッシュメモリに対して、大容量、低電圧動作を可能にした128メガビットバースト品と、携帯機器の組み込みモジュール向けにスーパーCSP(Super-CSPTM)に搭載した8メガビットフラッシュメモリ品を開発いたしました。

【主な仕様】


「MBM29BS12DH」 「MBM29SL800TE」 「MBM29SL800BE」
プロセス技術 0.13ミクロンメートル CMOSプロセス 0.23ミクロンメートル CMOSプロセス
セル構造 二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル 二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル
電源電圧 1.65V〜1.95V 1.65V〜1.95V
メモリ容量 128メガビット 8メガビット
I/O構成 x16 x8/x16
バンク構成
(4バンク構成)
バンクA:16メガビット
バンクB:48メガビット
バンクC:48メガビット
バンクD:16メガビット

低消費電力動作
  • オートマチック・スリープモード搭載 スタンバイ電流
    :10マイクロアンペア(最大)
  • スタンバイ電流
    :0.2マイクロアンペア (標準)
  • 読み出し動作電流
    :30ミリアンペア(最大)- バースト・モード、f=80MHz時
  • 書き込み/消去動作電流
    :40ミリアンペア(最大)
  • オートマチック・スリープモード搭載スタンバイ電流
    :5マイクロアンペア(最大)
  • スタンバイ電流
    : 1マイクロアンペア(標準)
  • 読み出し動作電流
    :20ミリアンペア(最大)
    -ワード・モード、f=10MHz時
  • 書き込み/消去動作電流
    :25ミリアンペア(最大)
消去/書き込み回数 最低 10万回 最低 10万回
パッケージ 標準・FBGA-80ボール 標準・Super-CSP-45ボール
その他機能
  • アクセラレーション
  • バーストサスペンド
  • ハンドシェイクモード

【用語説明】

(*1)NOR型:
フラッシュメモリのメモリ部を負論理回路で構成することにより、高速・ランダムにデータが読み出せます。
(*2)バーストモード(Burst Mode):
一部のアドレスを指定するだけで、そこから連続した一定アドレスのデータを高速に読み出せる機能です。
(*3)ハンドシェイクモード:
最初に読み出すピンを監視することで、バーストモード読み出し時の初期待機時間に無駄が生じないようにする設定。

【商標について】

記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

以 上

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関連リンク

  • 高解像度画像データを表示「MBM29BS12DH」製品写真 JPEG 109KB
  • 高解像度画像データを表示「MBM29SL800TE/BE」製品写真 JPEG 109KB

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