[ PRESS RELEASE ](製品・サービス) |
2003-0064
2003年4月10日
富士通株式会社 |
1.8V単一電源
128メガビット バーストモード搭載フラッシュメモリ、および
スーパーCSP採用8メガビット フラッシュメモリを新発売
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当社は、1.8Vの低電圧電源で動作する、携帯機器向けNOR型(*1)128メガビット バーストモード(*2)搭載フラッシュメモリ「MBM29BS12DH」および、ブルートゥース(Bluetooth)などの無線通信モジュールや超小型携帯機器向けスーパーCSP(Super-CSPTM)を採用したNOR型8メガビット フラッシュメモリ「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」を開発し、4月10日より販売開始します。
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【販売価格および出荷時期】
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製品名 |
販売価格(税別) |
出荷時期(サンプル) |
「MBM29BS12DH」 |
4,000円 |
2003年4月10日 |
「MBM29SL800TE」 |
400円 |
2003年4月10日 |
「MBM29SL800BE」 |
400円 |
2003年4月10日 |
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【販売目標】
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「MBM29BS12DH」 | 100万個/月 |
「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」 | 10万個/月(2品種合計) |
【「MBM29BS12DH」の主な特長】
- 高速読み出し動作を実現
- 電源投入後のアドレス固定からデータの出力までの初期立上げ時間(イニシャル
タイム)は、最速で46ナノ秒です。(80MHz動作・ハンドシェイクモード(*3)時)
- バーストモード時のアクセスタイムは、8.5ナノ秒です。(80MHz動作時)
- コンフィグレーションレジスタの設定により、システムに最適なバーストモードを
選択可能です。
- 低消費電力
- バーストアクセス読出しを実現するために、2ワード分のセンスアンプ数におさえることで、消費電力を他社に比べて低くすることができました。
- スタンバイ状態では他社同等品と比較し約1/20の低消費電力を達成しました。
【「MBM29SL800TE」「MBM29SL800BE」の主な特長】
- 超小型パッケージSuper-CSPTM に搭載
- Super-CSPTMを採用したことにより省スペース化が可能です。チップ単体に比べ、取り扱いが容易なため、二次実装信頼性が向上しました。
- 高速アクセスタイムを実現
- 動作電圧1.8Vでアクセスタイム90ナノ秒の高速動作を実現しました。
【開発の背景】
近年、携帯電話などの携帯機器は機器の高速化・高機能化が著しく進んでおり、搭載されるフラッシュメモリに対しても大容量化、低消費電力化、高速動作が求められてきています。さらに、この携帯機器とパソコンや家電製品とのデータのやり取りには、Bluetoothに代表される無線通信技術が広く使用されてきています。
当社は、携帯電話市場におけるフラッシュメモリに対して、大容量、低電圧動作を可能にした128メガビットバースト品と、携帯機器の組み込みモジュール向けにスーパーCSP(Super-CSPTM)に搭載した8メガビットフラッシュメモリ品を開発いたしました。
【主な仕様】
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「MBM29BS12DH」 |
「MBM29SL800TE」 |
「MBM29SL800BE」 |
プロセス技術 |
0.13ミクロンメートル CMOSプロセス |
0.23ミクロンメートル CMOSプロセス |
セル構造 |
二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル |
二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル |
電源電圧 |
1.65V〜1.95V |
1.65V〜1.95V |
メモリ容量 |
128メガビット |
8メガビット |
I/O構成 |
x16 |
x8/x16 |
バンク構成 (4バンク構成) |
バンクA:16メガビット バンクB:48メガビット バンクC:48メガビット バンクD:16メガビット |
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低消費電力動作 |
- オートマチック・スリープモード搭載 スタンバイ電流
:10マイクロアンペア(最大)
- スタンバイ電流
:0.2マイクロアンペア (標準)
- 読み出し動作電流
:30ミリアンペア(最大)- バースト・モード、f=80MHz時
- 書き込み/消去動作電流
:40ミリアンペア(最大)
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- オートマチック・スリープモード搭載スタンバイ電流
:5マイクロアンペア(最大)
- スタンバイ電流
: 1マイクロアンペア(標準)
- 読み出し動作電流
:20ミリアンペア(最大) -ワード・モード、f=10MHz時
- 書き込み/消去動作電流
:25ミリアンペア(最大)
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消去/書き込み回数 |
最低 10万回 |
最低 10万回 |
パッケージ |
標準・FBGA-80ボール |
標準・Super-CSP-45ボール |
その他機能 |
- アクセラレーション
- バーストサスペンド
- ハンドシェイクモード
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【用語説明】
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- (*1)NOR型:
- フラッシュメモリのメモリ部を負論理回路で構成することにより、高速・ランダムにデータが読み出せます。
- (*2)バーストモード(Burst Mode):
- 一部のアドレスを指定するだけで、そこから連続した一定アドレスのデータを高速に読み出せる機能です。
- (*3)ハンドシェイクモード:
- 最初に読み出すピンを監視することで、バーストモード読み出し時の初期待機時間に無駄が生じないようにする設定。
【商標について】
記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
以 上
関連リンク
- 「MBM29BS12DH」製品写真 JPEG 109KB
- 「MBM29SL800TE/BE」製品写真 JPEG 109KB
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