富士通株式会社（本社：東京都千代田区 以下「富士通」）と米国Advanced Micro Devices, Inc.（本社：米国カリフォルニア州サニーベール 以下「AMD」）はこのほど、両社のフラッシュメモリ事業を統合再編し、米国に新会社「FASL Limited Liability Company」を設立することについて、基本合意書を締結しました。

富士通とAMDは、これまでの富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ株式会社（本社：会津若松市 略称「FASL」）での製造合弁での実績を基に、さらに両社のフラッシュメモリのマーケティング・開発・製造機能を一体化させることにより、事業の効率化と競争力強化を実現してまいります。

具体的な合意の内容は、次のとおりです。

• 新会社への出資比率は、富士通40％、AMD60％。
• 新会社の本社は米国カリフォルニア州サニーベール。日本本社は東京。
• 両社は約25億ドル相当の資産を新会社に提供。
• 新会社のCEOは、Bertrand Cambou（AMD senior vice president, Memory Group）を予定。
• 新会社の会長は、小倉正道（富士通 経営執行役常務、電子デバイスビジネスグループ長）を予定。
• 新会社の取締役会メンバー10人のうち、6人をAMDから、4人を富士通から指名。
• 新会社は、富士通およびAMDにフラッシュメモリ製品を供給し、両社はそれぞれ、新会社ブランドにて当該製品の販売を行う。
• 従業員は当初約7,000人。

これに伴い、新会社へは以下が移管されます。

◇富士通からは、

フラッシュメモリ事業部門、Fujitsu Microelectronics(Malaysia)Sdn. Bhd.（後工程工場、略称「FMM」）

◇AMDからは、

フラッシュメモリ事業部門、R&Dセンター（米国カリフォルニア州サニーベール）、前工程工場Fab25（米国テキサス州オースチン）、後工程3工場（タイ、マレーシア、中国）

◇富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ株式会社（現在、両社の折半出資会社）

全面移管の上、富士通から移管されるフラッシュメモリ事業部門と統合し、日本における開発・製造の拠点として、新会社の100％子会社に再編。

新会社は、富士通／AMDの間での最終契約および関係当局の認可後、2003年（暦年）第3四半期を目処に、営業を開始する予定です。

新会社は、フラッシュメモリの専業会社として、両社の高度なテクノロジや製造能力を融合しお客様のニーズに迅速かつ的確に応え、今後とも成長の見込まれる市場におけるリーディングカンパニーを目指してまいります。