半導体シリコンチップの薄化加工技術を開発

世界最薄 25μm を実現！

半導体シリコンチップの薄化加工技術を開発

当社はこのほど、薬液を使用せずに、半導体シリコンチップ(以下、チップ)の厚さを現在の約4分の1(25μm)に薄くする薄化加工技術を開発いたしました。

本技術は、複数のチップを積み重ねてワンパッケージ化し、システムを構築(SiP*1)する多段スタック型MCP(*2)の薄型化に貢献いたします。

さらに、薬液を用いた薄化加工が不要になるため、チップ加工期間の短縮、設備費用の削減、環境に配慮したチップ加工が行えます。

近年、携帯電話やデジタルAV機器、ICカード等の高機能化にともない、搭載されるチップには小型・薄型・高集積への要求が高まっております。CSP(*3)やMCPに代表されるような複数のチップをワンパッケージ化し提供する商品においても、薄型化が求められております。

一般的に、薄型商品へのニーズに応えるために、チップは150μm以下まで薄くする必要があります。さらに、CSP やMCPでは100μm以下、また、ICカードでは50μm以下にチップを薄化加工する必要があります。

チップの薄化加工は、厚さ100μmから150μmまでは薬液を使用せずに研削します。しかし、薬液を使用せずに、100μmより研削すると、残留圧力や研削かすによりウェハのひび割れが生じてしまいます。そのため、100μm以下の薄化加工については、薬液を用いて研削を行っておりますが、チップ加工期間の長期化、設備費用の増加、環境への配慮が課題となっておりました。

当社は、これらの課題を解決するために、チップの薄化加工技術として、ウェハサポート工法技術の開発と、ピックアップ方式の最適化を図りました。

ウェハサポート工法技術とは、半導体ウェハの裏面研削を行う際に、研削する半導体ウェハをサポート治具に固定し、裏面研削中に発生する反りを矯正して薄化を行う技術です。当社は、チップの回路面を均一に固定するためのウェハサポート治具の形状、材質、工法を開発いたしました。当技術は、既存設備に治具を追加するだけなので、多額な製造設備が不要です。

また、ウェハを1つ1つのチップに切りわけた(ダイシング)後のチップを取り出すピックアップ方式を最適化したことにより、半導体チップを段階的に保護テープから剥離し、チップに与えるダメージを抑えました。

これらにより、薬液を用いずに厚さ25μmまでチップの薄化加工が行えます。

なお、本半導体シリコンチップの薄化加工技術は、株式会社ディスコ(本社 : 東京都大田区、代表取締役社長 : 溝呂木斉)との技術協力により実現しました。

当社は、今後もお客様のご要望にお応えするため、薄化加工技術をはじめとしたさまざまな技術を開発し、それらを採用した製品を提供してまいります。

【用語説明】

*1 SiP(System in a Package) :: メモリ、アナログ、プロセッサなどの複数のLSIを単一パッケージに搭載し、システムを構築する方法をいいます。
*2 MCP(Multi Chip Package) :: 複数のLSIを単一パッケージに搭載することです。
*3 CSP(Chip Scale Packege) :: パッケージの縦横の長さが、搭載するLSIの縦横の長さにほぼ等しいパッケージを指します。

【商標について】

記載されている製品名等の固有名詞は、各社の登録商標または商標です。

以上

	[ PRESS RELEASE ]	2001-0256 平成13年12月4日富士通株式会社


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