当社はこのほど、次世代携帯電話向けに、世界で初めて、64メガビットNAND型フラッシュメモリと、SRAMインタフェース採用の16メガビットFCRAM(R) *1 (共に、x16構成)を搭載した、スタック型マルチ・チップ・パッケージ(以下MCP) 「MB84VN23381EJ」と「MB84VN23391EJ」の2製品を開発し、2月26日から順次発売いたします。
近年、携帯情報機器の中でも特に携帯電話の用途は、通話機能に加え、メールや画像配信、ホームページの閲覧や受信、また、最近では、Javaにより、携帯電話で本格的なゲームが楽しめるなど、サービスや機能がますます充実しております。さらに、平成13年5月よりサービス開始が予定されている次世代移動通信システムIMT-2000 *2によりサービスコンテンツはますます多様化し、携帯電話に使用されるメモリにも、大容量、高速、低消費電力化が求められております。
現在、携帯電話向けMCPには、プログラム格納用メモリであるNOR型フラッシュメモリと、データ書き換えのための一時保存メモリであるSRAMやFCRAMが搭載されておりますが、次世代携帯電話には、これらに加え、動画像等の大容量データ保存用のメモリが必要となります。
新製品は、動画像等の大容量データ保存用のMCPで、大容量且つ、高速な64メガビットNAND型フラッシュメモリを搭載しており、ページ単位 *3の書込み速度200マイクロ秒、小ブロック単位 *4の消去速度2ミリ秒を実現しております。本NAND型フラッシュメモリは、x16構成のため、大容量シリアルデータの再書込みや消去について、現在提供されているNAND型製品(x8構成品)の2倍の高速処理を行えます。また、データの一時保存メモリ用に、高速大容量の16メガビットFCRAMを搭載しており、大容量ファイル格納用途に最適です。
当社は今後も、市場のニーズにいち早くお応えしたMCPを、携帯電話向けは勿論、今後急成長が見込まれるデジタル家電やモバイル機器製品向けにも提供し、お客様の多様なニーズにお応えしてまいります。
【サンプル価格】 4,000円 (2製品共に)
【サンプル出荷時期】 平成13年2月26日より
【販売目標】 100万個 / 月 (2製品合計)
【主な仕様】
1.品種構成
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64メガビットNAND型フラッシュメモリ(x16)/16メガビットSRAMインターフェースFCRAM (x16)
- MB84VN23381EJ:フラッシュメモリとFCRAMのデータ入出力ポートが分離
- MB84VN23391EJ:フラッシュメモリとFCRAMのデータ入出力ポートが共通
2.アクセスタイム
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シリアルリードアクセス:10マイクロ秒 /1ページ(NAND型フラッシュメモリ)
ランダムリードアクセス:90ナノ秒/1ワード(SRAMインターフェースFCRAM)
3.動作電源電圧
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Vcc=2.7V〜3.3V(NAND型フラッシュメモリ)
Vcc=2.7V〜3.1V(SRAMインターフェースFCRAM)
パッケージ:プラスティックBGA*5 123ボール(11x12x1.4mm:0.8mmピッチ)
4.低消費電力
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| スタンバイ電流 | : | 標準1マイクロアンペア(NAND型フラッシュメモリ)
最大70マイクロアンペア(SRAMインターフェースFCRAM) |
| 読出し動作 | : | 最大30ミリアンペア(NAND型フラッシュメモリ)
最大20ミリアンペア(SRAMインターフェースFCRAM) |
| 書込み/消去動作 | : | 最大30ミリアンペア(NAND型フラッシュメモリ) |
| 消去/書込み回数 | : | 100万回(NAND型フラッシュメモリ) |
【商標】
- FCRAMは、富士通株式会社の登録商標です。
- その他の製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
【用語説明】
- *1 FCRAM(First Cycle Random Access Memory)
- :富士通独自開発の次世代メモリコア技術。
- *2 IMT-2000(International Mobile Telecommunications 2000)
- :国際電気通信連合(ITU)が定めた移動体通信システムの規格。
- *3 ページ単位
- :書込み、読出しを行なえる最小単位。NAND型フラッシュメモリは512ワード。
- *4 小ブロック単位
- :消去可能領域の最小単位。NAND型フラッシュメモリは8Kワード。
- *5 BGA(Ball Grid Array)
- :表面実装型パッケージの一種。
以 上
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