当社はこのほど、64メガビット・デュアルオペレーション(データの読出し・書込み・消去を同時実行可能)フラッシュメモリを、米国アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)社と共同で開発し、「MBM29DL640E」と「MBM29DD640E」の2製品を6月12日より発売いたします。
デュアルオペレーション フラッシュメモリは、データの読出し・書込み・消去を同時に実行できるため、高速処理や、高頻度書き換えを要する、携帯電話や携帯情報機器を中心に需要が拡大しております。
従来、フラッシュメモリ内部の4分割された各バンクは、データ格納領域または、プログラム格納領域として固定されていました。業界で初めて、FlexBank(TM) Architecture(フレックバンク・アーキテクチャ)方式を採用したことにより、各バンクを、データ格納領域としても、プログラム格納領域としても利用できるので、お客様のシステムに合わせて、効率的に利用できます。
また、2バンクに、システム起動プログラムを格納するための小セクタブロック(*1)(8キロバイトx8)を用意しております。お客様は、システム設計に合わせてシステム起動プログラム格納場所を選択でき、且つ、選択したバンクのセクタブロック部分以外はすべてメモリ領域として無駄なく利用できます。
不正コピーを防止するHi-ROM(*2)機能、システム搭載時に高速書込みを可能とするアクセラレーション機能などを搭載しております。
当社は、すでにデュアル オペレーション フラッシュメモリとして、4・8・16・32メガビット品を提供しております。今後もフラッシュメモリの、大容量化、低電圧化はもちろん、お客様のシステムに柔軟に対応できる製品をいち早く開発してまいります。
【サンプル価格】
| ・ | MBM29DL640E | (使用動作電圧 3.0V品) | 5,000円 (TSOP(*3)の場合) |
| ・ | MBM29DD640E | (使用動作電圧 2.5V品) | 〃 |
| 【出荷時期】 | サンプル | : | 平成12年6月から |
| 量産 | : | 平成12年9月から |
【主な仕様】
| ・ | プロセス技術 | : | 0.23ミクロンCMOSプロセス |
| ・ | セル構造 | : | 二層ポリシリコン構造NOR型メモリセル |
| ・ | 出力構成 | : | 4メガワードx16ビット/8メガバイトx8ビット (64メガビット) |
| ・ | デュアル・
オペレーション機能 | : | FlexBank Architecture方式を採用 |
| ・ | バンク構成
(4バンク構成) | : |
バンクA : 8メガビット、
バンクB : 24メガビット、
バンクC : 24メガビット、
バンクD : 8メガビット |
| ・ | セキュリティ | : | Hi-ROM機能(不正コピー防止セキュリティ機能) Hi-ROM領域: 256バイト |
| ・ | 制御端子 | : |
WP(*)/ACC WP(*) : バンクA、Bのセクタ(8KBx2個)をハードウェア的にプロテクト
ACC: 外部からの高電圧印加により書き込み時間の約60%短縮が可能 |
| ・ | インタフェース | : | Common Flash Memory Interface(CFI) |
・
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アクセスタイム
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| [MBM29DL640E] |
[MBM29DD640E] |
| アドレス |
:
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80/90/120ナノ秒(最大)
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100/120ナノ秒(最大)
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CE(*)
| : |
80/90/120ナノ秒(最大)
| 100/120ナノ秒(最大) |
| OE(*) | : |
30/35/50ナノ秒(最大)
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35/50ナノ秒(最大)
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| (*)注 : WP CE OE : WP upperbar，CE upperbar および OE upperbarのことを指します。 |
| ・ | 単一電源動作 | : | MBM29DL640E | : | 2.7V 〜 3.6V (80ナノ品は、3.0V 〜 3.6V) |
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| MBM29DD640E | : | 2.3V 〜 2.7V |
| ・ | 低消費電力 | : | オートマチック・スリープ
モード搭載スタンバイ電流 | : | 1マイクロアンペア(標準) |
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| 読出し動作 | : |
18ミリアンペア(最大)-ワード・モード、f=5MHz時
16ミリアンペア(最大)-バイト・モード、f=5MHz時 |
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| 書込み/消去動作 | : | 35ミリアンペア(最大) |
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| 消去/書込み回数 | : | 10万回(最小) |
| ・ | パッケージ | : |
標準型48ピン・プラスチックTSOPパッケージ
標準型63ボール・FBGA(*4)パッケージ |
【用語説明】
*1 小セクタブロック : CPUなどの起動プログラム情報を格納する領域。
*2 Hi-ROM機能(Hidden Read Only Memory) : セキュリティコードや固有の情報を入力しておく領域。
*3 TSOP(＝Thin Small Outline L-Leaded Package) : 薄形表面実装パッケージの一種。
*4 FBGA(＝Fine-pitch Ball Grid Array) : ボール端子間隔が1.0mm以下の表面実装パッケージの一種。
【商標】
FlexBank(TM)は、日本国内における富士通株式会社の商標です。
以 上
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