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1998-0239
平成10年11月12日
富士通株式会社

16M/32Mビットフラッシュメモリと4MビットSRAM混載 スタック型マルチ・チップ・パッケージ製品新発売

〜実装面積でTSOP品と比べて約70%削減〜

当社はこのほど、先に東芝,NECと共通化したフラッシュメモリとSRAMを混載したスタック（積み重ね）型マルチ・チップ・パッケージ（MCP）仕様の製品第一弾として、16M/32Mビット・大容量フラッシュメモリと4MビットSRAMの組合せによる2品種「MB84VD2218x/19x,MB84VD2118x/19x」を開発し、11月12日から販売を開始いたします。

近年、携帯機器市場の拡大にともない、携帯電話などに使われるプログラム格納用のフラッシュメモリと、CPUの動作中に一時データを格納するSRAMの需要が増大しています。
また、携帯機器の高機能化への対応や、より携帯性を高めるために、各メモリ素子のパッケージの小型化への要求も強まっています。

今回の共通仕様準拠のMCPは、システムの小型化へのご要求にお応えするため、フラッシュメモリとSRAMをスタック（積み重ね）構造にして、パッケージ実装面積の省スペース化を図ったものです。
パッケージの外形は、フラッシュメモリとSRAMを搭載したBGA（Ball Grid Array)タイプで、システムにおける実装面積は、従来のTSOP(Thin Small Out-line Package) を2個使用したものと比べて、約70%削減でき、16Mビット・フラッシュメモリ搭載の「MB84VD2118x/19x」では、8mmx11mmと業界最小クラスを実現しております。
本共通仕様では、4/128Mビットのフラッシュメモリと1〜128MビットのSRAMを組み合わせたどの構成でも端子配列の互換性があります。

なお、本製品には大容量デュアルオペレーション・フラッシュメモリを搭載しております。これにより、携帯電話などで一般に使用されているEEPROM機能も本製品で実現できるため、より小型化・高機能化を進めることが可能です。

【サンプル価格】
MB84VD2218x/19x:2,800円
MB84VD2118x/19x:2,200円

【出荷時期】
サンプル 1998年11月から
量 産 1999年2月から

【販売目標】
全品種合計で200万個/月

【主な仕様】
(1) 品種構成
(2)フラッシュメモリ
(3)SRAM
(4) 2.7V〜3.6Vでの読出し／書込み・消去動作
(5) 高速動作
(6) パッケージ

以上

プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容、お問い合わせ先などは、発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。あらかじめご了承ください。ご不明な場合は、富士通お客様総合センターにお問い合わせください。