[ PRESS RELEASE ]

1997-0148 平成9年7月24日 株式会社富士通研究所

株式会社富士通研究所(社長:佐藤 繁、本社:川崎市)では、世界で初めて量産化に適した減圧式の有機金属気相成長法(MOVPE)で製造した窒化ガリウム系青紫色半導体レーザの室温パルス発振に成功しました。さらにSiC基板上での窒化ガリウム系青紫色半導体レーザの発振としては世界で2番目であり、発振寿命は5時間以上を実現しました。
青紫色半導体レーザは、現在の3倍以上の容量を持ち、高精細な映像の情報量を扱える光磁気ディスク(MO)やDVD装置を実現するための必要不可欠な技術であります。

【本技術の意義】
本技術の特徴は、青紫色半導体レーザに、赤色半導体レーザなど従来の半導体レーザの製造法をほとんどそのまま適用できるようになることです。これは、実用化に向けての大きな前進と考えられます。

• 減圧式の有機金属気相成長法(MOVPE)の利点
  従来から半導体レーザの製造で通常よく用いられている量産に向いた結晶成長方法。今まで報告された青紫色半導体レーザは制御が複雑な常圧式MOVPEで行われていました。
• SiC基板の利点
  へきかい端面によるレーザ共振器を容易に作製できます。導電性があるので、基板裏面をn型電極にして素子の上下方向に電流を流す従来の半導体レーザと同様の構造で作製できます。窒化ガリウム結晶との格子定数の差が小さく欠陥密度が低くできます。今までは、半導体レーザが作製しにくいサファイア基板が使われていました。

【本技術のポイント】
今回のレーザは、減圧式有機金属気相成長法を用いた独自の成長技術で、SiC基板上への成長初期過程を制御することによって、高品質の窒化ガリウム系結晶の多重量子井戸(MQW)構造を実現しました。

【本レーザの特性】(パルス動作条件:パルス幅300nsec、デューティ0.03%)

• しきい値電流800mA、発振波長414nm
• 最大20mWの光出力、5mWの光出力で5時間以上の寿命