[主な仕様]

• プロセス技術 : 0.5 ミクロンCMOSプロセス
• メモリセル : 二層ポリシリコン構造NOR 型メモリセル
• チップサイズ : 5.0mm × 6.42mm
• 512Kワード×8 ビット構成 「MBM29LV004」
• 256Kワード×16ビット/512Kワード×8 ビット構成「MBM29LV400」
• セクタ構成 : 16K バイト,8Kバイト×2 ,32K バイト,64K バイト×7
• 3V単一電源による消去/書込み/読み出しモード
• 電気的セクタ消去
  自動消去機能搭載
  複数セクタ同時消去機能搭載
  書込み/消去の禁止・許可機能搭載
  消去一時停止/消去再開機能搭載
  消去一時停止中の書込み/読み出し機能搭載
  セクタ消去時間 : 1 秒
• バイト/ワード書込み
  自動書込み機能搭載
  バイト書込み時間 : 11.2.マイクロ秒(標準)
  ワード書込み時間 : 16.4.マイクロ秒(標準)
  
• 消去/書込み回数 : 10万回(最小)
  
• 高速読み出し
  アドレスアクセス :100 ナノ秒/120 ナノ秒/150 ns(最大)
  CEアクセス :100 ナノ秒/120 ナノ秒/150 ns(最大)
  OEアクセス : 35 ナノ秒/ 50 ナノ秒/ 50 ns(最大)
  
• Vcc =3.0 〜3.6Vにおける仕様。他は2.7 〜3.6Vにおける仕様。
  (消去・書込み動作はVcc =2.7 〜3.6V条件で可能です。)
• 自動スリープ機能 :アドレス固定時間が300 ns以上で自動的に作動
• 低消費電流
  バイトモード動作時 :40mA(最大)
  ワードモード動作時 :45mA(最大)
  自動スリープ機能
  スタンバイ時(TTL ) :250 マイクロA (最大)
  スタンバイ時(CMOS): 5 マイクロA (最大)
  
• パッケージ
  

  「MBM29LV004」

  標準型40ピン・プラスチックTSOP
  標準型40ピン・プラスチックSON

  「MBM29LV400」

  標準型48ピン・プラスチックTSOP
  標準型44ピン・プラスチックSOP
  標準型46ピン・プラスチックSON